NM27C128QE200 时间：2025/7/18 22:24:06 阅读：2

NM27C128QE200 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的 CMOS 静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片具有高速访问时间，适用于需要快速数据存取的应用场合。NM27C128QE200 采用先进的 CMOS 技术制造，具有低功耗、高可靠性和较长的数据保存时间等优点。该器件通常用于通信设备、工业控制、计算机外设以及其他嵌入式系统中。

参数

类型：SRAM
　　容量：128K x 8 位
　　电源电压：3.3V 或 5V 可选
　　访问时间：20 ns
　　封装类型：TSOP（薄型小外形封装）
　　引脚数：54
　　工作温度范围：工业级 -40°C 至 +85°C
　　封装尺寸：标准TSOP封装
　　功耗：典型值为 10 mA（待机模式下更低）
　　读写支持：异步读写操作
　　控制信号：/CE（芯片使能），/OE（输出使能），/WE（写使能）

特性

NM27C128QE200 是一款高性能异步SRAM芯片，其核心特性包括高速访问时间（仅需20ns）和灵活的电压兼容性（支持3.3V或5V供电），使其适用于多种电子系统设计。该芯片的异步接口允许与各种主控器或处理器进行无缝连接，无需额外的时钟同步电路，从而简化了系统设计。
　　此外，该芯片采用了低功耗CMOS技术，在待机模式下电流消耗极低，非常适合对功耗有严格要求的应用场景，如便携式设备和远程传感器。其高可靠性和工业级工作温度范围确保了在严苛环境下的稳定运行。
　　内部结构上，NM27C128QE200 提供128K x 8位的存储空间，可满足中等容量数据缓存或程序存储的需求。其标准TSOP封装设计便于PCB布局和焊接，适合高密度电路板设计。