型号：CM75DUM-12F
　　器件类型：MOS控制晶闸管（MCT）
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：1200V
　　最大重复峰值正向阻断电压（VDRM）：1200V
　　最大平均通态电流（IT(AV)）：75A（在正弦半波、50Hz条件下）
　　最大峰值通态电流（ITSM）：800A（工频半波）
　　通态电压（VT）：典型值2.5V，最大值3.2V（在IT = 75A时）
　　栅极触发电流（IGT）：最大50μA（开启）
　　关断栅极脉冲电流（IGQ）：最大-100mA（负脉冲）
　　工作结温范围（TJ）：-40°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-40°C 至 +150°C
　　热阻（RthJC）：约0.6°C/W（结到壳）
　　封装类型：TO-247AD
　　安装方式：单孔螺钉固定
　　引脚数：3（阳极、阴极、栅极）

CM75DUM-12F的核心优势在于其独特的MOS控制晶闸管结构，使其兼具场效应晶体管的电压驱动特性和传统晶闸管的高电流承载能力。该器件通过MOS栅结构实现电压控制，显著降低了驱动电路的复杂性和功耗，相比于传统的双极型晶闸管需要较大的门极电流触发，CM75DUM-12F仅需微安级的栅极触发电流即可实现导通，极大简化了驱动设计。同时，其具备自关断能力，只需施加负向栅极脉冲即可实现关断，避免了传统SCR必须依赖外部换流电路才能关断的局限性，从而提高了系统效率和响应速度。
　　该器件具有优异的动态性能，支持高频开关操作，适用于PWM调制、软开关电源和逆变器等应用。其1200V的耐压等级和高达75A的平均电流能力，使其在中高压电力电子系统中表现出色。此外，CM75DUM-12F具备较强的抗浪涌电流能力，ITSM可达800A，能够承受短时过载而不损坏，增强了系统的可靠性。其TO-247封装提供了良好的散热路径，配合合适的散热器可确保长时间稳定运行。
　　在温度特性方面，CM75DUM-12F的工作结温可达+150°C，具备良好的高温稳定性，适合在高温工业环境中使用。其较低的通态压降（典型2.5V）减少了导通损耗，提高了整体能效。尽管MCT技术在市场上的普及度不及IGBT或MOSFET，但在某些需要高鲁棒性、高dv/dt耐受能力和快速关断的特殊场合，CM75DUM-12F仍具有不可替代的优势。

CM75DUM-12F广泛应用于需要高电压、大电流及快速开关能力的工业电力电子系统中。其典型应用场景包括大功率交流调压器、固态继电器（SSR）、感应加热电源、高频逆变器和电机软启动装置。在感应加热系统中，该器件可用于构建串联或并联谐振逆变器，实现高效能量转换。由于其具备自关断能力，无需复杂的换流电路，因此特别适用于紧凑型高频电源设计。
　　在电机控制领域，CM75DUM-12F可用于中等功率的直流斩波调速系统或交流调功装置，提供平滑的功率调节和快速响应。此外，该器件也适用于不间断电源（UPS）、电焊机电源和高压脉冲电源等设备，作为主开关元件使用。在一些特殊工业电源中，如电镀电源、静电除尘电源等，CM75DUM-12F的高可靠性和耐压能力使其成为理想选择。
　　由于其良好的抗电磁干扰能力和温度稳定性，CM75DUM-12F也可用于环境恶劣的工业现场控制系统。尽管目前IGBT在多数中高功率应用中占据主导地位，但在对dv/dt耐受性、关断速度和驱动简化有特殊要求的场合，CM75DUM-12F依然具备独特优势。

CM100DY-12H
　　CM75DUK-12F
　　IXGH75N120B3