类型：双向TVS二极管阵列
　　通道数：2
　　工作电压（VRWM）：3.6 V
　　击穿电压（VBR）：最小4.0 V，最大4.7 V
　　钳位电压（VC）：10 A（8/20 μs）时典型值12 V
　　峰值脉冲功率（PPPM）：350 W（8/20 μs）
　　结电容（Cj）：典型值0.3 pF，最大值0.5 pF
　　漏电流（IR）：最大1 μA
　　ESD耐受能力：±30 kV（IEC 61000-4-2，空气与接触放电）
　　封装类型：DFN1006D-2 (1.0 x 0.6 x 0.48 mm)
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C

NLXT361PE.A2的核心特性之一是其超低电容设计，典型值仅为0.3 pF，这使得它在高速数据传输线路中几乎不会引入信号失真或衰减，特别适合用于现代高带宽通信接口。在USB 2.0、MIPI D-PHY等差分对信号线上，保持低电容对于维持信号完整性至关重要，否则会导致上升/下降时间变慢、反射增加或眼图闭合等问题。该器件通过优化内部结构和材料选择，在实现高效ESD保护的同时最大限度地减少了寄生电容，从而确保系统性能不受影响。此外，其双向保护机制允许器件在正向和负向瞬态电压事件中都能可靠响应，避免因极性变化导致的保护失效问题，尤其适用于交流耦合或双极性信号线路。
　　另一个关键特性是其出色的ESD耐受能力，能够承受高达±30 kV的空气和接触放电（依据IEC 61000-4-2 Level 4标准），远超大多数消费类电子产品面临的实际ESD威胁水平。这意味着即使在极端环境下，例如用户频繁插拔连接器或在干燥环境中操作设备时产生的静电火花，NLXT361PE.A2也能有效吸收并泄放瞬态能量，防止后级CMOS集成电路发生闩锁或永久性损坏。同时，该器件具有非常快的响应时间（通常小于1 ns），能够在纳秒级内启动保护动作，及时将电压钳制在安全范围之内，显著提升系统的鲁棒性和产品寿命。
　　在热性能方面，NLXT361PE.A2具备良好的热稳定性和高脉冲功率承受能力，可在单次8/20 μs浪涌冲击下承受高达350 W的峰值功率。这种能力使其不仅适用于ESD防护，也可应对一定程度的电气快速瞬变（EFT）事件。此外，其紧凑的DFN1006D-2封装支持高密度PCB布局，有助于缩小整体设计尺寸，满足便携式设备对小型化的需求。该封装还具有优良的散热性能和机械强度，配合无铅回流焊工艺，确保组装过程中的高良率和长期可靠性。综合来看，NLXT361PE.A2以其低电容、高防护等级、小尺寸和高可靠性，成为高性能ESD保护解决方案的理想选择。

NLXT361PE.A2广泛应用于需要高精度ESD保护的便携式和移动电子设备中。其主要应用场景包括智能手机和平板电脑中的高速接口保护，例如USB Type-C、Micro-USB、HDMI、DisplayPort以及MIPI CSI/DSI摄像头与显示屏接口。在这些应用中，信号速率往往达到数百Mbps甚至更高，因此必须使用低电容保护器件以避免影响数据传输质量。NLXT361PE.A2凭借其0.3 pF的典型结电容，能够在不牺牲信号完整性的前提下提供强大的ESD防护能力。
　　此外，该器件也常用于可穿戴设备（如智能手表、健身追踪器）的传感器接口和触控面板信号线保护。这类设备通常体积小巧、电池供电且长期暴露在人体接触环境中，极易受到静电累积和突然放电的影响。NLXT361PE.A2的小型DFN封装非常适合有限的布板空间，同时其±30 kV的ESD耐受能力确保了在日常使用中的稳定性与安全性。
　　在物联网（IoT）终端设备中，如智能家居传感器、无线模块和工业手持终端，NLXT361PE.A2可用于保护I2C、SPI、UART等数字通信总线免受外部干扰。这些总线虽然传输速率相对较低，但连接引脚常常暴露在外，容易成为ESD入侵路径。通过部署NLXT361PE.A2，可以显著提高系统的电磁兼容性（EMC）表现，并帮助产品通过相关认证测试，如CE、FCC等。
　　其他典型应用还包括音频耳机插孔、SIM卡槽、TF卡接口以及LCD触摸屏驱动线路的保护。总之，任何需要在微型化设计基础上实现高等级瞬态电压防护的电子系统，都是NLXT361PE.A2的理想用武之地。

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