类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30 V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20 V
　　最大连续漏极电流（Id）：14 A
　　导通电阻 Rds(on)：8.5 mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻 Rds(on)：12 mΩ @ Vgs=4.5V
　　功率耗散（Ptot）：2.5 W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　晶体管配置：单晶体管

L2114UCB 具备一系列高性能特性，适用于高效率和高频率的开关应用。
　　首先，该 MOSFET 的低导通电阻（Rds(on)）在 8.5 mΩ 至 12 mΩ 之间，具体取决于栅极驱动电压（10V 或 4.5V），这有助于降低导通损耗，提高整体能效。尤其是在高电流应用中，这种低电阻特性对于减少发热和提高系统可靠性至关重要。
　　其次，L2114UCB 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了开关性能，降低了开关损耗，从而使其能够在较高的频率下运行，适用于高频 DC-DC 转换器等应用。此外，该器件的封装形式为 TO-252（DPAK），具备良好的热性能，有助于快速散热，从而提高器件在高功率密度环境下的可靠性。
　　再者，L2114UCB 的栅极驱动电压兼容 4.5V 至 10V，适用于多种控制器和驱动电路，包括使用 5V 或 12V 驱动电源的系统。这种宽泛的栅极电压范围增强了其在不同应用中的适用性。
　　最后，L2114UCB 的最大漏极电流可达 14A，适用于中高功率应用。其最大工作电压为 30V，适用于 12V、24V 等直流电源系统，广泛用于汽车电子、工业自动化、消费类电源产品等领域。

L2114UCB 主要应用于以下几类电子系统：
　　1. **DC-DC 转换器**：在升压（Boost）、降压（Buck）或反相（Flyback）拓扑结构中，作为主开关元件，实现高效的电压转换。
　　2. **负载开关与马达控制**：在电源管理系统中用于控制负载的通断，或在直流马达控制电路中作为功率开关使用。
　　3. **电池管理系统（BMS）**：用于电池充放电管理，作为隔离和保护开关使用，防止过流和短路情况下的损坏。
　　4. **汽车电子**：如车载电源系统、LED 驱动器、电动助力转向系统等，L2114UCB 的高可靠性和热稳定性使其适合在严苛的汽车环境中运行。
　　5. **工业自动化设备**：包括 PLC 控制系统、伺服驱动器、传感器供电模块等，作为功率开关元件提供高效能的控制能力。

IRFZ44N, FDP3632, IPD95N30C3, STP16NF30