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L2114UCB 发布时间 时间:2025/7/22 16:37:01 查看 阅读:4

L2114UCB 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 通道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件设计用于高频率开关应用,广泛应用于电源转换器、DC-DC 转换器、马达控制、负载开关以及电池管理系统等场合。L2114UCB 采用先进的沟槽式技术,具备低导通电阻(Rds(on))和高耐压能力,能够在较高的开关频率下保持较低的开关损耗。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):30 V
  最大栅源电压(Vgs):±20 V
  最大连续漏极电流(Id):14 A
  导通电阻 Rds(on):8.5 mΩ @ Vgs=10V
  导通电阻 Rds(on):12 mΩ @ Vgs=4.5V
  功率耗散(Ptot):2.5 W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:TO-252(DPAK)
  晶体管配置:单晶体管

特性

L2114UCB 具备一系列高性能特性,适用于高效率和高频率的开关应用。
  首先,该 MOSFET 的低导通电阻(Rds(on))在 8.5 mΩ 至 12 mΩ 之间,具体取决于栅极驱动电压(10V 或 4.5V),这有助于降低导通损耗,提高整体能效。尤其是在高电流应用中,这种低电阻特性对于减少发热和提高系统可靠性至关重要。
  其次,L2114UCB 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,优化了开关性能,降低了开关损耗,从而使其能够在较高的频率下运行,适用于高频 DC-DC 转换器等应用。此外,该器件的封装形式为 TO-252(DPAK),具备良好的热性能,有助于快速散热,从而提高器件在高功率密度环境下的可靠性。
  再者,L2114UCB 的栅极驱动电压兼容 4.5V 至 10V,适用于多种控制器和驱动电路,包括使用 5V 或 12V 驱动电源的系统。这种宽泛的栅极电压范围增强了其在不同应用中的适用性。
  最后,L2114UCB 的最大漏极电流可达 14A,适用于中高功率应用。其最大工作电压为 30V,适用于 12V、24V 等直流电源系统,广泛用于汽车电子、工业自动化、消费类电源产品等领域。

应用

L2114UCB 主要应用于以下几类电子系统:
  1. **DC-DC 转换器**:在升压(Boost)、降压(Buck)或反相(Flyback)拓扑结构中,作为主开关元件,实现高效的电压转换。
  2. **负载开关与马达控制**:在电源管理系统中用于控制负载的通断,或在直流马达控制电路中作为功率开关使用。
  3. **电池管理系统(BMS)**:用于电池充放电管理,作为隔离和保护开关使用,防止过流和短路情况下的损坏。
  4. **汽车电子**:如车载电源系统、LED 驱动器、电动助力转向系统等,L2114UCB 的高可靠性和热稳定性使其适合在严苛的汽车环境中运行。
  5. **工业自动化设备**:包括 PLC 控制系统、伺服驱动器、传感器供电模块等,作为功率开关元件提供高效能的控制能力。

替代型号

IRFZ44N, FDP3632, IPD95N30C3, STP16NF30

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