时间：2025/12/22 16:18:36
阅读：14
NLV32T-R68J-EFD是一款由TDK公司生产的表面贴装功率电感器，属于NLV系列。该系列产品专为高效率电源转换应用设计，特别是在需要大电流和低直流电阻（DCR）的场合表现出色。NLV32T-R68J-EFD采用紧凑型结构，适合在空间受限的PCB布局中使用。其磁屏蔽结构有效降低了电磁干扰（EMI），提高了系统整体的电磁兼容性。该电感器广泛应用于DC-DC转换器、电压调节模块（VRM）、笔记本电脑、台式机主板、服务器电源管理单元以及便携式消费类电子产品中的电源电路。NLV32T-R68J-EFD的命名遵循TDK的标准编码规则：'NLV'代表产品系列，'32'表示封装尺寸约为3.2mm x 2.5mm，'T'表示薄型设计，'R68'表示标称电感值为0.68μH，'J'为容差等级（±5%），'EFD'通常与特定的材料和性能等级相关联，表明其适用于高频开关电源环境。
这款电感器具备良好的温度稳定性和频率响应特性，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电感性能。其内部采用金属合金磁芯材料，相比传统的铁氧体磁芯，具有更高的饱和电流能力和更好的直流叠加特性，能够承受瞬态大电流冲击而不发生磁饱和，从而保障电源系统的可靠性。此外，NLV32T-R68J-EFD通过AEC-Q200认证的可能性较低（主要用于车规级被动器件），但其工业级品质仍能满足大多数商用和工业应用场景的需求。器件采用端电极全包裹结构，增强了焊接可靠性和抗机械应力能力，适用于回流焊工艺，符合现代SMT生产线的要求。
产品类型：功率电感器
电感值：0.68 μH
容差：±5%
额定电流（Isat）：约13.5 A（典型值，基于电感下降30%）
额定电流（Irms）：约9.8 A（典型值，基于温升40°C）
直流电阻（DCR）：约4.7 mΩ（最大值）
自谐振频率（SRF）：≥50 MHz（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +155°C
存储温度范围：-55°C 至 +155°C
封装尺寸：3.2 mm × 2.5 mm × 1.8 mm（L×W×H）
端接类型：镍/锡镀层电极
安装方式：表面贴装（SMD）
核心材料：金属合金复合材料
屏蔽类型：磁屏蔽结构
NLV32T-R68J-EFD采用先进的金属合金磁芯技术，这种材料相较于传统铁氧体磁芯，在高电流条件下表现出更优异的磁饱和特性。这意味着即使在大电流负载或瞬态电流冲击下，电感值也不会急剧下降，从而确保电源回路的稳定性与效率。该器件的饱和电流（Isat）高达约13.5A，意味着当电流达到此水平时，电感值仅下降30%，这对于防止DC-DC变换器在启动或重载情况下失效至关重要。同时，其温升电流（Irms）约为9.8A，说明在持续工作状态下能有效控制自身发热，避免因过热导致性能劣化或周边元件受损。低直流电阻（DCR）仅为4.7mΩ左右，显著减少了铜损，提升了电源转换效率，尤其在高频率开关电源中效果更为明显。
该电感器具有良好的频率响应能力，自谐振频率（SRF）通常高于50MHz，使其在数百kHz至数MHz的开关频率范围内均可稳定工作，适用于现代高效率同步整流降压变换器。其磁屏蔽结构设计有效抑制了漏磁通，降低了对外部电路的电磁干扰（EMI），有助于满足EMC法规要求，并提升多层板或多通道电源系统中的信号完整性。器件的小型化封装（3.2×2.5×1.8mm）使其非常适合高密度PCB布局，尤其是在移动设备和超薄笔记本电脑中节省宝贵的空间资源。此外，全端子镀镍锡处理不仅提高了可焊性，还增强了抗腐蚀和耐潮湿性能，确保长期使用的可靠性。整体结构坚固，能承受标准回流焊温度曲线，适用于自动化贴片生产流程。
NLV32T-R68J-EFD主要应用于需要高效能、大电流输出的直流电源转换系统中。常见于主板上的CPU供电电路，作为降压型DC-DC变换器中的储能元件，配合MOSFET和控制器实现精确的电压调节。在图形处理器（GPU）电源模块中，该电感同样发挥着关键作用，提供稳定的低电压大电流输出。此外，它也广泛用于服务器电源管理单元、网络通信设备的板载电源、工业控制系统的嵌入式电源模块以及高端消费类电子产品如游戏主机、平板电脑等。由于其出色的电流处理能力和温度稳定性，该器件特别适合用于POL（Point-of-Load）电源架构中，靠近负载芯片布置以减少线路阻抗和噪声干扰。在电池供电设备中，使用此类高效电感能有效延长续航时间。另外，因其具备一定的抗振动和机械强度，也可应用于轻度工业环境下的电源设计中，但不建议用于严苛的汽车电子或航空航天领域，除非有明确的车规认证支持。
SLF7055T-R68MUTD
CDRH127HC-R68NC
VLS321810ET-6R8M
