时间：2025/6/26 16:22:47
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ESLP2510V05 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效能功率开关元件，专为高频率、高效率的应用场合设计。该元器件采用增强型 GaN 场效应晶体管技术，具有较低的导通电阻和快速开关特性，适合用于 DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器以及无线充电设备等领域。其封装形式为行业标准的小尺寸封装，便于集成到紧凑型设计中。
ESLP2510V05 的设计目标是满足现代电力电子系统对高效能、小型化和高可靠性的需求。通过利用 GaN 材料的独特优势，如更高的载流能力和更低的开关损耗，这款芯片在高频工作条件下表现出色，同时还能降低系统的整体能耗。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：10A
导通电阻：40mΩ
栅极电荷：70nC
输入电容：800pF
开关速度：2MHz
工作温度范围：-40℃ 至 +125℃
1. 高效的氮化镓（GaN）技术，提供低导通电阻和低开关损耗。
2. 支持高达 2MHz 的开关频率，适用于高频应用。
3. 小型封装设计，节省 PCB 空间。
4. 内置静电防护功能，提高可靠性。
5. 低栅极驱动要求，易于与控制电路集成。
6. 宽工作温度范围，适应各种环境条件。
7. 具备高耐压能力，能够承受 600V 的漏源电压。
1. 高效 DC-DC 转换器
2. 开关电源（SMPS）
3. 快速充电器
4. LED 驱动器
5. 工无线充电设备
7. 电机驱动控制器
8. 可再生能源逆变器
GTP10060H, NCP1015
