NLV25T-R56J-EF 时间：2025/12/3 18:52:28 阅读：29

NLV25T-R56J-EF是一款由TDK公司生产的表面贴装功率电感器，属于NLV系列。该系列产品专为高电流、低损耗的应用环境设计，广泛应用于电源转换电路中，如DC-DC转换器、电压调节模块（VRM）、以及便携式电子设备的电源管理单元。NLV25T-R56J-EF采用紧凑型结构，具备优良的磁屏蔽性能，能够有效减少电磁干扰（EMI），提升系统整体稳定性。其铁氧体磁芯材料结合铜导线绕组，提供了良好的温度稳定性和高频响应能力。该电感器适用于自动化贴片生产工艺，符合现代电子产品小型化、高效化的发展趋势。此外，NLV25T-R56J-EF通过了AEC-Q200认证，适合在汽车电子等对可靠性要求较高的环境中使用。
　　这款电感器的标称电感值为0.56μH，允许偏差为±5%（J级精度），额定电流较高，能够在有限的空间内承载较大的直流偏置电流而不发生饱和。其低直流电阻（DCR）特性有助于降低功耗，提高电源效率。封装尺寸为2520（公制代码2520，即约2.5mm x 2.0mm），高度适中，适合空间受限的设计需求。工作温度范围通常为-40°C至+125°C，确保在严苛环境下仍能稳定运行。

参数

产品类型：功率电感器
　　封装尺寸：2520（EIA 1008）
　　电感值：0.56 μH
　　电感公差：±5%
　　直流电阻（DCR）：典型值约0.036 Ω
　　额定电流（Isat）：约7.0 A（基于电感下降30%）
　　额定电流（Itemp）：约5.0 A（基于温升40°C）
　　自谐振频率（SRF）：≥50 MHz（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　核心材料：铁氧体
　　屏蔽类型：磁屏蔽
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　符合标准：RoHS、AEC-Q200

特性

NLV25T-R56J-EF具有优异的磁屏蔽结构，采用闭合磁路设计，显著降低了外部磁场泄漏，从而减少了对周边元件的电磁干扰，提升了电路的整体抗干扰能力和信号完整性。这种屏蔽特性使其特别适用于高密度PCB布局和对EMI敏感的应用场景，例如智能手机、平板电脑和车载信息娱乐系统。由于其低辐射特性，在高频开关电源中可以简化滤波电路设计，节省外围元件成本并缩小整体解决方案尺寸。
　　该电感器具备出色的电流处理能力，能够在高直流偏置下保持稳定的电感值。其磁芯材料经过优化设计，在大电流条件下表现出较低的磁滞损耗和涡流损耗，有效控制温升。即使在接近饱和电流时，电感值的衰减也较为平缓，避免了突然失磁导致的电路不稳定现象。这一特性对于需要动态负载响应的电源系统尤为重要，如CPU供电的多相VRM架构。
　　NLV25T-R56J-EF还拥有极低的直流电阻（DCR），这直接转化为更低的I2R导通损耗，提高了电源转换效率，尤其在电池供电设备中可延长续航时间。同时，低功耗意味着发热量小，有助于改善系统的热管理，减少散热设计复杂度。其结构坚固，采用高强度环氧树脂封装，具备良好的耐湿性和机械强度，能够在振动、冲击等恶劣环境中可靠工作。此外，该器件支持回流焊工艺，兼容无铅焊接流程，满足现代绿色制造的要求。

应用

NLV25T-R56J-EF主要用于各类需要高效能功率电感的电子设备中，尤其是在移动通信设备、消费类电子产品和汽车电子领域有着广泛应用。在智能手机和平板电脑中，它常用于主处理器或内存的DC-DC降压电源电路，提供稳定的电压供应，同时因其小体积和低噪声特性，非常适合紧凑型主板设计。在笔记本电脑和超极本中，该电感器可用于GPU或芯片组的供电模块，支持快速动态调压以实现节能运行。
　　在汽车电子方面，得益于其通过AEC-Q200认证，NLV25T-R56J-EF被广泛应用于车载导航系统、ADAS（高级驾驶辅助系统）控制器、车身控制模块以及车载充电器（OBC）中的DC-DC转换器。这些应用场景对元器件的温度适应性、长期可靠性和抗干扰能力有极高要求，而该电感器的表现完全符合规范。此外，在工业控制设备、网络通信模块和LED驱动电源中，该器件也能发挥其高效率、高稳定性的优势，保障系统长时间稳定运行。无论是恒定负载还是瞬变负载条件，NLV25T-R56J-EF均能提供可靠的电感性能。