产品类型：铁氧体磁珠
　　阻抗 @ 频率：4.7Ω @ 100MHz
　　直流电阻（DCR）：0.32Ω 最大
　　额定电流：500mA
　　工作温度范围：-55°C ~ 125°C
　　封装/外壳：0805（2012公制）
　　特性阻抗公差：±5%
　　制造商：TDK Corporation
　　包装：卷带包装（PF）

NLV25T-4R7J-PF磁珠的核心特性之一是其优异的高频噪声抑制能力。该器件在100MHz时具有4.7Ω的标称阻抗，并且随着频率升高，其感抗和电阻成分共同作用，使得整体阻抗逐渐上升，在数百MHz范围内可达到数十欧姆甚至更高，从而有效衰减开关电源、数字信号线或射频电路中产生的高频噪声。这种频率响应特性使其特别适用于高速数据线路（如USB、I2C、SPI）中的EMI滤波，既能保持信号完整性，又能防止噪声向外传导。
　　该磁珠采用多层陶瓷共烧技术制造，内部电极交错排列，形成分布式的电感结构，同时结合高性能铁氧体材料，确保了器件在宽温范围内的稳定性。其最大直流电阻仅为0.32Ω，意味着在通过额定电流时功耗低、温升小，不会对电源效率造成显著影响。此外，500mA的额定电流能力足以应对大多数低功耗IC供电轨的需求，例如为传感器、MCU内核或射频前端供电的线路。
　　另一个重要特性是其良好的温度特性和长期可靠性。NLV25T-4R7J-PF可在-55°C至125°C的极端温度范围内稳定工作，适用于工业级和汽车级应用场景。其材料体系经过严格筛选和老化测试，具备出色的耐湿性、抗热冲击能力和机械强度，能够承受多次回流焊过程而不发生性能退化。此外，该器件对磁场干扰不敏感，不会因邻近元件产生互扰，适合密集布板环境。
　　最后，该磁珠符合RoHS和REACH环保规范，支持无铅焊接工艺，适应现代SMT生产线的要求。其0805封装形式与标准贴片设备兼容，便于自动化生产和返修。整体而言，NLV25T-4R7J-PF是一款集高频性能、低损耗、高可靠性和环保特性于一体的EMI抑制元件，适用于对电磁兼容性要求较高的精密电子系统。

NLV25T-4R7J-PF广泛应用于各类需要电磁干扰（EMI）抑制的电子电路中。在消费类电子产品中，它常用于智能手机、平板电脑和智能手表等设备的电源管理单元（PMU）或接口信号线上，用于滤除来自DC-DC转换器、LDO稳压器或高频时钟线路的噪声，防止其耦合到敏感模拟电路（如音频放大器、传感器信号链）中造成干扰。例如，在为MEMS麦克风或心率传感器供电的线路中串接此磁珠，可以显著提升信噪比和测量精度。
　　在通信设备领域，该磁珠可用于Wi-Fi模组、蓝牙模块或蜂窝通信芯片的供电路径中，抑制高频开关噪声对外部天线系统的干扰，提高无线信号的接收灵敏度和传输稳定性。此外，在高速数字接口如USB、I2C、SPI的数据线保护电路中，NLV25T-4R7J-PF也能起到去耦和滤波的作用，减少串扰和反射引起的误码率。
　　在工业控制和汽车电子系统中，由于工作环境复杂且电磁干扰源众多，该磁珠被用于微控制器（MCU）、CAN总线收发器或电源监控电路的电源入口处，以增强系统的抗干扰能力。特别是在车载信息娱乐系统或ADAS（高级驾驶辅助系统）模块中，良好的EMC性能是确保功能安全的关键因素之一。NLV25T-4R7J-PF的小型化封装也使其非常适合空间受限的应用场景。
　　此外，该器件还可用于医疗电子设备、物联网终端节点以及嵌入式传感网关等对可靠性和稳定性要求较高的场合。总之，凡是存在高频噪声传播风险的电路节点，均可考虑使用NLV25T-4R7J-PF进行有效的EMI抑制，从而提升整个系统的电磁兼容性和运行稳定性。

BLM18PG470SN1D
　　SRN2012-4R7Y
　　ACM4520-4R7NT