尺寸封装：0805（2.0mm x 1.25mm）
　　电容值：8200pF (8.2nF)
　　电容公差：±5%
　　额定电压：50V DC
　　温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C，电容变化不超过±15%）
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　介质材料：陶瓷（Class II, X7R）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　端接类型：三层端子（Ni/Sn镀层）
　　老化率：≤2.5% / decade at 20°C

NL20JT822作为一款X7R材质的多层陶瓷电容器，具有优异的温度稳定性和较宽的工作温度范围，能够在-55°C至+125°C之间保持电容值的变化在±15%以内，适用于各种恶劣环境下的电子系统。其采用X7R介电材料，相比Y5V等材料虽容量密度略低，但在温度、电压和时间稳定性方面表现更优，尤其适合对参数一致性要求较高的模拟电路和电源管理模块。
　　该电容的额定电压为50V DC，能够满足大多数低压直流供电系统的去耦需求，例如在微处理器、FPGA、ASIC或DC-DC转换器的输入/输出端进行噪声抑制。在实际应用中，即使施加接近额定电压的直流偏置，其有效电容仍能维持在初始值的70%-80%，显著优于高K值介质如Z5U或Y5V电容。
　　结构上，NL20JT822采用三层端子设计（Tri-layer Termination），增强了机械强度和抗热冲击能力，有效减少因PCB弯曲或温度循环引起的焊点开裂风险，提高产品长期可靠性。这种设计特别适用于车载电子、工业设备等对耐久性有较高要求的领域。
　　此外，该器件支持无铅回流焊接工艺，符合IEC 60068-1等国际环境试验标准，且不含卤素、符合RoHS指令要求，适用于绿色电子产品制造。其小尺寸0805封装在保证一定耐压和容量的同时，兼顾了高密度布板的需求，是平衡性能与空间占用的理想选择。

NL20JT822多层陶瓷电容器广泛应用于多种电子电路中，主要用于电源去耦、信号滤波、交流耦合、噪声旁路以及LC谐振电路等场景。在数字系统中，常用于为IC的电源引脚提供低阻抗通路，吸收高频开关噪声，稳定供电电压，防止因瞬态电流引起逻辑错误或电磁干扰问题。例如，在微控制器单元（MCU）、现场可编程门阵列（FPGA）或高速数据转换器周围布置多个此类电容，可显著提升系统稳定性与抗干扰能力。
　　在电源管理系统中，该电容可用于DC-DC降压或升压模块的输入输出滤波网络，配合电感构成π型或L型滤波器，有效平滑纹波电压，提升电源质量。同时，也可作为储能元件参与瞬时能量供给，缓解负载突变带来的电压跌落现象。
　　在模拟信号链路中，NL20JT822可用于音频放大器、传感器接口电路中的交流耦合环节，阻隔直流分量而传递交流信号，避免前后级之间的偏置电压相互影响。由于其X7R介质具有较低的非线性失真，因此在精度要求较高的场合优于高K值陶瓷电容。
　　此外，该器件也适用于通信设备、消费类电子产品（如智能手机、平板电脑、智能家居设备）、工业控制板卡以及部分汽车电子模块（非引擎舱环境）中，承担去耦、退耦和EMI抑制功能。凭借其小型化、高可靠性和良好温度特性，成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

GRM21BR71H822KA01L
　　CL21A822KBHNNNC
　　C2012X7R1H822K