NL1206B474K500CEGN 是一款高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),主要应用于高功率、高频开关电路中。该器件采用N沟道增强型设计,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性等特性,适用于工业、通信和消费类电子领域。
型号:NL1206B474K500CEGN
类型:N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(Vds):650 V
最大栅源电压(Vgs):±20 V
连续漏极电流(Id):47 A
脉冲漏极电流(Ibm):188 A
导通电阻(Rds(on)):47 mΩ
栅极电荷(Qg):190 nC
总功耗(Ptot):300 W
工作温度范围(Tj):-55℃ to +175℃
封装形式:TO-247-3
NL1206B474K500CEGN 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻(47 mΩ),能够显著降低功率损耗,提高系统效率。
2. 高额定电压(650 V),使其能够在高压环境中稳定运行,适合多种应用场合。
3. 大电流承载能力(47 A 连续漏极电流),确保其在高负载条件下表现优异。
4. 快速开关性能,栅极电荷仅为 190 nC,能够减少开关损耗并提升工作效率。
5. 工作温度范围宽广(-55℃ 至 +175℃),适应极端环境条件,具备良好的可靠性和耐用性。
6. 封装形式为 TO-247-3,易于安装和散热设计,适合大功率应用需求。
7. 内部结构优化,提供更低的寄生电感和更好的抗干扰性能,从而提高了整体系统的稳定性。
该器件广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动控制电路>3. 工业自动化设备中的功率转换模块。
4. 新能源汽车(EV/HEV)的车载充电器和 DC-DC 转换器。
5. 高压 LED 驱动电路中的开关元件。
6. 光伏逆变器中的功率级组件。
7. UPS 不间断电源系统中的关键功率器件。
IRFP460, FQA47N65S, STW47N65K5