产品类型：陶瓷电容器
　　电容值：82pF
　　容差：±10%
　　额定电压：50V
　　温度特性：NP0/C0G
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装/尺寸：0603 (1.6mm x 0.8mm)
　　介质材料：C0G (NP0)
　　直流偏压特性：无明显容量下降
　　绝缘电阻：≥10^10 Ω 或 1000MΩ以上
　　损耗角正切（tanδ）：≤0.1%
　　温度系数：0 ±30ppm/°C
　　端接类型：镍阻挡层 + 锡镀层
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　适用焊接工艺：回流焊
　　符合标准：RoHS、AEC-Q200（若适用）

NL08KTR82所采用的C0G（即NP0）介质材料是目前最稳定的陶瓷介质之一，具有极低的温度系数和几乎不受电压、频率及时效影响的优异电气特性。
　　这种材料确保了电容器在-55°C到+125°C的整个工作温度范围内，电容值的变化不超过±30ppm/°C，远优于X7R、Y5V等其他类型的陶瓷介质。因此，该器件特别适用于对频率稳定性要求极高的电路，如振荡器、滤波器、射频匹配网络以及精密模拟信号处理电路中。
　　C0G材质的另一个显著优势是其线性响应和极低的介电损耗（tanδ ≤ 0.1%），这意味着它在高频应用下不会因自身发热而导致性能劣化或信号失真。同时，由于其电容值不随施加的直流偏置电压而变化，NL08KTR82在电源去耦或参考电压旁路等关键节点上表现出色，能有效维持系统精度与稳定性。
　　该器件的0603小尺寸封装使其非常适合用于空间受限的高集成度PCB设计，例如智能手机、可穿戴设备、物联网模块和无线通信模块等。尽管体积微小，但其结构设计经过优化，具备良好的机械强度和抗热冲击能力，可在多次回流焊过程中保持完整性。
　　此外，NL08KTR82使用镍阻挡层电极配合锡镀层终端，不仅提高了焊接可靠性和长期耐久性，还防止了银离子迁移问题，增强了在潮湿环境下的使用寿命。整体而言，这是一款兼具高性能、高可靠性和环保合规性的高端片式陶瓷电容，广泛受到工程师在高频、高温及高稳定性应用场景中的青睐。

NL08KTR82因其出色的温度稳定性和低损耗特性，被广泛应用于多种高精度和高频电子电路中。常见用途包括射频（RF）前端模块中的阻抗匹配网络，用于确保信号传输的最大效率并减少反射；在石英晶体振荡器或SAW滤波器周边作为负载电容或耦合电容时，能够保证频率输出的高度稳定，避免漂移问题。
　　在模拟信号链设计中，该电容常用于运算放大器反馈回路、ADC/DAC参考电压旁路以及有源滤波器中，以提供精准且不受温度影响的电容值支持，从而提升系统测量精度和信噪比表现。
　　此外，在电源管理单元中，NL08KTR82可用于噪声滤波和高频去耦，特别是在低噪声LDO稳压器输出端，可有效抑制高频干扰，保障敏感电路的正常运行。
　　由于其符合RoHS标准并适用于无铅焊接工艺，该器件也广泛用于汽车电子（如车载信息娱乐系统、传感器接口）、医疗电子设备（如便携式监护仪）、工业自动化控制系统以及5G通信基础设施等对可靠性要求严苛的领域。

GRM188R71H820CA01J
　　CC0603J820K5G
　　C1608C0G1H820J