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FDPF16N50 发布时间 时间:2025/5/7 13:58:49 查看 阅读:7

FDPF16N50是一种N沟道功率MOSFET,采用TO-247封装形式。该器件具有高耐压和低导通电阻的特点,适用于各种开关电源、电机驱动以及逆变器等应用领域。其额定电压为500V,最大电流可达16A。该MOSFET在高频开关条件下表现出优异的性能,同时具备较低的栅极电荷和输出电荷,有助于提高整体效率。
  这种功率MOSFET特别适合需要高效率和快速开关的应用场景,广泛应用于工业控制、汽车电子、消费类电子产品等领域。

参数

额定电压:500V
  连续漏极电流:16A
  导通电阻(典型值):0.35Ω
  栅极电荷(典型值):35nC
  总栅极电荷:50nC
  输出电荷:85nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TO-247

特性

FDPF16N50具有以下主要特性:
  1. 高击穿电压,确保在高压环境下的稳定运行。
  2. 极低的导通电阻,在大电流条件下能. 快速开关特性,降低开关损耗并提高工作效率。
  4. 良好的热稳定性,能够在极端温度范围内可靠工作。
  5. 具备雪崩能量能力,能够承受过载条件下的能量冲击。
  6. 符合RoHS标准,环保且适用于现代电子产品的需求。

应用

FDPF16N50可广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),用于高效能功率转换。
  2. DC-DC转换器,特别是在工业和通信设备中。
  3. 电机驱动,如家用电器中的无刷直流电机控制。
  4. 逆变器电路,用于太阳能发电系统和不间断电源(UPS)。
  5. 电磁阀和继电器驱动,提供高可靠性控制。
  6. 各种工业自动化设备中的功率管理模块。

替代型号

IRFP460, STP16NF50, FGA16N50

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FDPF16N50参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列UniFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C16A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C380 毫欧 @ 8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs45nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1945pF @ 25V
  • 功率 - 最大38.5W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装TO-220F
  • 包装管件