时间：2025/6/22 10:55:05
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BSC014N06NSSC 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于各种高效能功率转换应用。BSC014N06NSSC 的额定电压为 60V，适合在中低电压环境下工作。
这款 MOSFET 主要用于消费类电子、工业设备以及汽车相关领域，例如适配器、充电器、DC-DC 转换器、电机驱动等场景。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：38A
导通电阻(Rds(on))：1.4mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
总功耗(Ptot)：17W
结温范围(Tj)：-55℃ to +175℃
封装类型：TO-220-FP
BSC014N06NSSC 具有非常低的导通电阻，这使其能够显著降低功率损耗并提高效率。
其优化的开关性能有助于减少开关损耗，尤其是在高频开关应用中表现优异。
该器件还具备强大的热稳定性和耐用性，可承受较高的结温，从而延长使用寿命。
BSC014N06NSSC 提供了出色的 EMI 特性，有助于简化设计中的滤波需求。
此外，它支持高电流密度，允许在较小的空间内实现更高的功率输出。
BSC014N06NSSC 广泛应用于需要高效率和高性能的功率管理场景，包括但不限于以下领域：
- 开关电源(SMPS)
- DC-DC 转换器
- 工业电机控制
- 汽车电子系统
- 电池管理系统(BMS)
- 太阳能逆变器
- 笔记本电脑适配器与手机快充解决方案
BSC016N06NS, IRFZ44N, FDP16N6L
