类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装形式：TO-92
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大漏极电流（ID）：200mA
　　导通电阻（RDS(on)）：约2Ω（典型值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1V至3V
　　最大耗散功率（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

NKS138B MOSFET 的主要特点是高耐压和低导通电阻的结合，使其在低电流、高电压的开关应用中表现优异。其TO-92封装形式便于在印刷电路板（PCB）上安装，并具备良好的热管理能力，适用于空间受限的设计。此外，该器件具有快速开关响应时间，减少了开关损耗，提高了系统效率。NKS138B 还具有较高的抗干扰能力和稳定性，在复杂电磁环境中依然能够保持良好的工作状态。此外，其较低的栅极电荷（Qg）特性使其适用于高频开关电路，进一步拓展了其应用场景。
　　在制造工艺上，NKS138B 采用了先进的硅基技术，确保了器件在长时间运行中的稳定性和可靠性。其栅极氧化层设计优化，提升了器件的抗静电能力（ESD），从而增强了整体的耐用性。此外，该MOSFET的温度系数良好，能够在不同温度条件下保持性能一致性，适用于宽温环境下的应用。

NKS138B 广泛应用于多个领域，包括但不限于以下方面：首先，在开关电源设计中，它常用于控制电路中的高压侧开关，实现高效的能量转换。其次，在电机控制和继电器驱动电路中，该MOSFET用于控制负载的通断，提供可靠的开关性能。此外，NKS138B 也常见于LED照明驱动、DC-DC转换器及各种电池管理系统中。在数字电路中，它可用于构建逻辑门、缓冲器和驱动器，提供高效的信号控制。在工业自动化设备中，该器件用于控制执行机构如电磁阀和小型电机的启停。同时，它也被广泛应用于消费电子产品，如智能家电、便携式设备和智能仪表中，作为关键的功率开关元件。

2N7000, BS170, 2N6764