时间：2025/8/2 10:32:28
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NK1N60是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机控制等场合。该器件具有较高的耐压能力和较低的导通电阻，适合中高功率应用。NK1N60通常采用TO-220或类似的封装形式，具备良好的散热性能。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：600V
最大栅源电压（VGS）：±20V
最大连续漏极电流（ID）：1.2A（在25℃）
最大功率耗散（PD）：50W
导通电阻（RDS(on)）：约3.0Ω（典型值）
工作温度范围：-55℃～+150℃
NK1N60的主要特性包括高击穿电压（600V），能够承受较高的电压应力，适用于各种高电压开关应用。
该器件具有良好的热稳定性和较强的过载能力，能够在恶劣的工作环境下稳定运行。
NK1N60的导通电阻较低，有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。
此外，该MOSFET具备快速开关特性，适用于高频开关应用，减少开关损耗。
其封装形式通常为TO-220，便于安装和散热设计，适用于多种工业级应用场景。
NK1N60常用于开关电源（SMPS）中的主开关器件，适用于AC-DC和DC-DC转换电路。
也可用于逆变器、马达驱动器、照明控制电路、电源管理系统和电池充电器等应用。
在工业自动化和电力电子设备中，NK1N60作为高电压开关元件，具有较高的可靠性和稳定性。
同时，该器件也可用于高电压信号切换和功率调节模块。
1N60、2N60、FQP1N60、IRF730、STP1N60
