时间：2025/8/2 7:02:14
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ZXTN19100CGTA 是一款由 Diodes 公司（原 Zetex）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于需要高效率和高性能的电源管理应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，使其非常适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统和电源管理模块。ZXTN19100CGTA 采用热增强型 TDFN 封装，具有良好的散热性能，适用于表面贴装工艺。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：7.5A（在 100°C 时）
脉冲漏极电流（IDM）：30A
导通电阻（RDS(on)）：最大 80mΩ（在 VGS=10V 时）
功率耗散（PD）：3.4W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TDFN（热增强型双扁平无引脚）
ZXTN19100CGTA MOSFET 的核心特性在于其低导通电阻和高电流能力，这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。其沟道设计采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了载流子流动路径，从而实现更小的芯片尺寸和更低的 RDS(on) 值。此外，该器件具有出色的热稳定性，在高功率操作下仍能保持较低的温升，延长了器件寿命并提高了可靠性。
该 MOSFET 还具备良好的栅极电荷特性，降低了开关损耗，适用于高频开关应用。其栅极驱动电压范围较宽（可支持 4.5V 至 20V），允许与多种驱动电路兼容。ZXTN19100CGTA 的封装设计具有热增强功能，底部散热焊盘可有效传导热量，提升散热效率，适用于紧凑型 PCB 设计。
此外，该器件符合 RoHS 和 REACH 环保标准，适合绿色电子产品设计使用。其高雪崩能量耐受能力也使其在高能量负载环境下具有良好的稳定性。
ZXTN19100CGTA MOSFET 主要用于以下几类应用场景：首先是 DC-DC 转换器和同步整流器，其低导通电阻和快速开关特性有助于提升转换效率；其次，适用于电池管理系统，如电动工具、电动自行车、储能系统中的高侧或低侧开关；再者，该器件可用于负载开关和电源管理模块，控制高电流负载的通断；此外，ZXTN19100CGTA 也适用于马达控制、LED 驱动器、工业自动化设备和消费类电子产品中的功率控制部分。
SiSS190N10T2, Infineon IPD180N10S4-03, Nexperia PSMN1910Y
