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NJVMJB44H11T4G 发布时间 时间:2025/4/29 12:24:28 查看 阅读:5

NJVMJB44H11T4G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高效率开关应用设计。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于各种电源管理和电机驱动场景。
  该芯片的主要特点包括优异的热性能、强大的电流处理能力和较高的耐压能力,能够满足工业级和消费级电子产品的严格要求。

参数

型号:NJVMJB44H11T4G
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):18A
  导通电阻(Rds(on)):4.4mΩ
  栅极电荷(Qg):49nC
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

NJVMJB44H11T4G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,可降低功耗并提升系统效率。
  2. 快速开关特性,适合高频应用环境。
  3. 高额定电流和电压能力,确保在恶劣条件下的稳定性。
  4. 出色的热稳定性,能够适应宽广的工作温度范围。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
  这些特性使得该芯片非常适合需要高效能量转换的应用场景,如 DC-DC 转换器、电池管理系统以及电动工具中的电机控制等。

应用

NJVMJB44H11T4G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS) 设计,用于提高功率密度和减少能量损失。
  2. 各类 DC-DC 转换器,提供稳定高效的电压输出。
  3. 电动车和电动工具中的电机驱动电路。
  4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. 电池保护与管理系统的开发。
  其卓越的性能使其成为众多工程师首选的功率半导体解决方案之一。

替代型号

NJVMJB44H12T4G, IRFZ44N, FDP17N60

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NJVMJB44H11T4G参数

  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)10A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)80V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1V @ 400mA,8A
  • 电流 - 集电极截止(最大)10µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)40 @ 4A,1V
  • 功率 - 最大2W
  • 频率 - 转换500MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装带卷 (TR)