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NJD2873T4G 发布时间 时间：2023/4/11 9:59:48 查看 阅读：526

类别：分离式半导体产品

目录

概述

类别：分离式半导体产品 

家庭：晶体管(BJT) - 单路

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大）：2A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V

Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 50mA, 1A

电流 - 集电极截止（最大）：-

在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：120 @ 500mA, 2V

功率 - 最大：1.68W

频率 - 转换：65MHz

安装类型：表面贴装 

封装/外壳：DPak, SC-63,TO-252(2 引线+接片)

包装：带卷 (TR)

供应商设备封装：D-Pak

其它名称：NJD2873T4G-NDNJD2873T4GOSTR

资料

厂商
ON Semiconductor

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NJD2873T4G产品

NJD2873T4G参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）50V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）300mV @ 50mA，1A
  • 电流 - 集电极截止（最大）-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)120 @ 500mA，2V
  • 功率 - 最大1.68W
  • 频率 - 转换65MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装DPAK-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NJD2873T4G-NDNJD2873T4GOSTR

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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