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IS61VPS102418A-200B3 发布时间 时间:2025/12/28 17:39:52 查看 阅读:21

IS61VPS102418A-200B3 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件属于高性能、低功耗的SRAM系列,专为需要高速数据存取的应用而设计。IS61VPS102418A-200B3 采用同步架构,支持突发模式操作,适用于网络设备、通信系统、工业控制和嵌入式系统等领域。该芯片的存储容量为1Mbit(1024K x 18位),提供高速访问时间,最大工作频率可达166MHz。其封装形式为165引脚 FBGA,适用于高密度、小型化设计。

参数

容量:1Mbit
  组织结构:1024K x 18
  接口类型:Synchronous
  访问时间:200ps
  工作电压:2.3V - 3.6V
  封装类型:165-ball FBGA
  最大频率:166MHz
  温度范围:商业级(0°C 至 70°C)
  工作模式:Burst Mode

特性

IS61VPS102418A-200B3 SRAM芯片具备多项显著特性,首先其高速访问时间为200ps,支持高达166MHz的工作频率,这使得该器件能够在高性能系统中提供极快的数据读写能力。其同步接口支持突发模式操作,可以有效提高数据传输效率,减少地址切换带来的延迟。该芯片的供电电压范围为2.3V至3.6V,具有良好的兼容性,适用于多种电源设计环境。
  此外,该SRAM芯片采用低功耗设计,在保持高性能的同时,也具备良好的能效表现,适合对功耗敏感的应用场景。其封装形式为165-ball FBGA,体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用。该芯片还具备优异的稳定性与可靠性,适用于工业级和通信级应用,如路由器、交换机、嵌入式处理器系统等。

应用

IS61VPS102418A-200B3 主要应用于对数据访问速度和系统稳定性要求较高的场合。典型应用包括高速缓存、网络交换设备、路由器、嵌入式处理器系统、工业控制系统、测试设备、通信基站、图像处理系统以及数据采集设备等。由于其同步突发模式的支持,该芯片特别适合用于需要连续高速数据流处理的场景,例如视频缓冲、高速缓存和数据转发等。此外,其低功耗特性也使其适用于便携式或嵌入式设备中的临时存储需求。

替代型号

IS61VPS102418B-200B3, CY7C1380D-200BZXI, IDT71V1216SA200B

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IS61VPS102418A-200B3参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 同步,SDR
  • 存储容量18Mb
  • 存储器组织1M x 18
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率200 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间3.1 ns
  • 电压 - 供电2.375V ~ 2.625V
  • 工作温度0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳165-TBGA
  • 供应商器件封装165-TFBGA(13x15)