时间：2025/6/9 15:01:13
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NIS5132MN3TXG 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道功率 MOSFET，采用 TrenchFET 第三代技术制造。该器件具有极低的导通电阻和高效率，适用于高频开关应用以及需要高效能功率转换的场景。其封装形式为 PowerPAK? 8x8 封装，具备出色的散热性能和紧凑的设计，适合在空间受限的应用中使用。
该型号主要针对消费电子、工业设备及通信电源等领域设计，能够提供稳定的电流处理能力和快速的开关速度。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：197A
导通电阻（典型值）：1.3mΩ
栅极电荷：75nC
输入电容：3620pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
NIS5132MN3TXG 使用了先进的 TrenchFET 技术，使其具备非常低的导通电阻，从而减少功率损耗并提高系统效率。此外，该器件支持高达 175°C 的结温操作，确保在极端条件下仍能稳定运行。
这款 MOSFET 还具有快速开关能力，可降低开关损耗，并且封装结构优化了热传导路径，进一步增强了散热表现。
PowerPAK? 8x8 封装不仅提供了较低的寄生电感，还实现了更小的 PCB 占用面积，非常适合现代高密度设计需求。
NIS5132MN3TXG 广泛应用于 DC/DC 转换器、电机驱动器、负载点调节器 (POL) 和 UPS 系统等场景。
在消费类电子产品中，它可用于笔记本电脑适配器、电视电源以及游戏机电源解决方案。
此外，在工业领域，该器件可以用于太阳能逆变器、电动工具以及其他需要高效功率管理的场合。
NIS5132LN3TSG, SiR146DP
