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GSOT05CLT1G 发布时间 时间:2025/8/13 19:09:02 查看 阅读:10

GSOT05CLT1G是一款由ONSEMI(安森美半导体)生产的表面贴装硅双向电压抑制二极管(TVS),主要用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌电压和其他瞬态电压的损害。该器件具有低钳位电压和快速响应时间,适合用于高敏感度电子设备的保护。其SOD-523封装形式使其适用于空间受限的高密度PCB设计。

参数

类型:双向TVS二极管
  工作电压:5V
  最大反向关态电压(VRWM):5V
  击穿电压(VBR):最小5.6V,最大6.2V
  最大钳位电压(VC):13.3V(在Ipp = 1.7A时)
  最大峰值脉冲电流(Ipp):1.7A
  响应时间(tRESP):小于1ns
  封装形式:SOD-523
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

GSOT05CLT1G具有出色的瞬态电压抑制能力,能够在极短时间内响应并吸收高能量的电压尖峰,从而保护下游电路不受损害。
  其双向导通特性使其适用于正负极性都可能出现瞬态干扰的场合,如通信接口、USB线路、HDMI端口等。
  该器件采用了低电容设计(通常小于3pF),非常适合用于高速数据线路的保护,不会对信号完整性造成明显影响。
  采用SOD-523封装,体积小、重量轻,适用于便携式电子产品和高密度电路板设计。
  符合RoHS指令,无铅环保,适合现代电子制造的环保要求。
  器件具有良好的热稳定性和可靠性,在各种环境条件下均能稳定工作。

应用

GSOT05CLT1G广泛应用于需要高可靠性静电和浪涌保护的电子系统中,典型应用包括便携式消费电子产品(如智能手机、平板电脑、数码相机等)的接口保护。
  常用于USB 2.0、HDMI、DisplayPort、以太网等高速数据通信接口的ESD保护,确保信号传输的稳定性和设备的耐用性。
  也可用于工业控制系统、通信设备、汽车电子模块等需要抗干扰保护的场合。
  此外,该器件还可用于电源管理电路、传感器接口、音频/视频输入输出端口的保护设计中。

替代型号

Nexperia的PESD5V0S1BA、STMicroelectronics的ESD55105、Infineon的ESD5V0U1BA、ON Semiconductor的其他型号如GSOT05C

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