NIS5112D2R2G 时间：2025/5/8 10:42:01 阅读：7

NIS5112D2R2G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的功率场效应晶体管 (Power FET)，由 Navitas Semiconductor 生产。该器件专为高效率、高频应用设计，采用 GaNFast 技术以实现更快的开关速度和更高的功率密度。它通常被用于消费电子设备中的快速充电器、适配器以及其他电源转换系统中。
　　该型号采用了 DFN 封装形式，能够显著减少寄生电感并优化散热性能，从而提升整体系统效能。此外，由于其内置驱动器与保护功能，可以简化电路设计并降低 BOM 成本。

参数

型号：NIS5112D2R2G
　　类型：增强型氮化镓功率场效应晶体管（eGaN FET）
　　工作电压：600V
　　导通电阻：2.2Ω（典型值，在 25°C 下测量）
　　栅极驱动电压：5V 至 18V
　　最大漏极电流：9A（脉冲条件）
　　封装形式：DFN-8 (3x3mm)
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C

特性

NIS5112D2R2G 的主要特点是其高性能和集成度：
　　1. 基于先进的氮化镓技术，提供比传统硅 MOSFET 更高的效率和更小的尺寸。
　　2. 内置驱动器，无需外部驱动电路，可直接由 PWM 控制信号驱动。
　　3. 快速开关速度支持 MHz 级别的工作频率，适用于高频 DC-DC 转换器。
　　4. 具备短路保护和过温保护功能，提高系统的可靠性和安全性。
　　5. 低寄生电感的封装设计进一步优化了高频性能和热管理能力。
　　6. 可在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。

应用

这款 GaN 功率器件非常适合以下应用场景：
　　1. USB-PD 快速充电器和适配器。
　　2. 开关电源（SMPS）和 AC-DC 转换器。
　　3. 高频 DC-DC 转换器。
　　4. 消费类电子产品中的高效能电源模块。
　　5. 工业及通信领域的紧凑型电源解决方案。
　　6. LED 驱动器和其他需要高效率、小型化设计的电力电子设备。