NHE520R-N 时间：2025/9/11 3:45:09 阅读：19

NHE520R-N 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极性晶体管（BJT），属于 NPN 型晶体管。这款晶体管专为高可靠性应用设计，适用于开关和放大电路。NHE520R-N 是一种增强型晶体管，具有较高的电流增益（hFE）和良好的热稳定性，适合在工业控制、电源管理和汽车电子等领域使用。该器件采用 TO-220 封装，便于安装和散热。

参数

晶体管类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：80 V
　　最大集电极电流（IC）：3 A
　　最大功耗（PD）：25 W
　　电流增益（hFE）：200 - 800（具体取决于测试条件）
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220

特性

NHE520R-N 是一款性能优异的 NPN 型晶体管，具有多个显著特性，适用于各种高可靠性应用场景。
　　首先，该晶体管的最大集电极-发射极电压（VCEO）为 80 V，能够在较高的电压条件下稳定工作，适用于多种电源管理和开关应用。其最大集电极电流为 3 A，支持较高的电流负载能力，适合用于功率放大器和开关电路。
　　其次，NHE520R-N 的最大功耗为 25 W，具备良好的散热性能。采用 TO-220 封装设计，有助于提高散热效率，从而确保晶体管在高负载条件下仍能稳定运行。这使其特别适用于需要长时间连续工作的工业设备和汽车电子系统。
　　此外，该晶体管的电流增益（hFE）范围为 200 至 800，具体值取决于测试条件。这种高增益特性使得晶体管在放大电路中表现出色，能够有效提升信号增益。同时，NHE520R-N 的过渡频率（fT）达到 100 MHz，具备良好的高频响应能力，可用于中高频放大电路。
　　最后，NHE520R-N 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应极端温度环境，增强了其在严苛条件下的可靠性。这使其非常适合用于汽车电子、航空航天和工业自动化等对可靠性要求较高的领域。

应用

NHE520R-N 主要应用于需要高可靠性和高电流处理能力的电子设备中。其高电流增益和良好散热性能使其非常适合用于电源开关电路、电机驱动器和继电器控制模块。此外，由于其较高的过渡频率，该晶体管也适用于音频放大器和射频（RF）放大电路。在汽车电子系统中，NHE520R-N 可用于发动机控制单元（ECU）、车载充电系统和照明控制模块。工业自动化设备中，该晶体管可用于可编程逻辑控制器（PLC）、伺服电机驱动器和传感器接口电路。