NHE520FSR-HF-6 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极性晶体管(BJT),属于 NPN 型晶体管。该器件专为高频应用设计,具有良好的增益和频率响应特性,适用于需要高速开关和放大功能的电路。NHE520FSR-HF-6 采用 SOT-223 封装,适合用于表面贴装技术(SMT)组装,广泛应用于通信设备、电源管理和信号放大等场景。
晶体管类型:NPN
集电极-发射极电压(Vce):30V
集电极-基极电压(Vcb):30V
发射极-基极电压(Veb):5V
集电极电流(Ic):100mA
功率耗散(Pd):300mW
过渡频率(fT):100MHz
电流增益(hFE):110-800(根据档位不同)
工作温度范围:-55°C 至 150°C
NHE520FSR-HF-6 是一款性能优异的高频 NPN 晶体管,其主要特性体现在高频响应、高可靠性和良好的电流增益稳定性。该晶体管的过渡频率(fT)可达 100MHz,使其非常适合用于射频(RF)和中频(IF)放大器电路。此外,NHE520FSR-HF-6 的电流增益(hFE)范围较宽,通常在 110 至 800 之间,且根据不同的等级划分,可以满足不同电路设计对增益的需求。该器件的 SOT-223 封装不仅体积小巧,而且具有良好的散热性能,适合在高密度 PCB 设计中使用。此外,该晶体管的工作温度范围宽广,从 -55°C 到 150°C,可以在各种环境条件下稳定运行,适用于工业级和汽车电子应用。NHE520FSR-HF-6 还具有较低的饱和压降(Vce_sat),有助于提高电路效率并减少功耗,因此在电池供电设备中也有较好的应用前景。
在可靠性方面,该晶体管采用高质量的硅材料和先进的制造工艺,确保了其在长期运行中的稳定性和耐用性。此外,该器件符合 RoHS 环保标准,不含有害物质,适合用于现代电子产品中。由于其出色的综合性能,NHE520FSR-HF-6 在无线通信、传感器接口、音频前置放大器以及各种数字开关电路中得到了广泛应用。
NHE520FSR-HF-6 晶体管由于其高频特性和良好的增益表现,被广泛应用于多个电子领域。在通信设备中,该晶体管常用于射频(RF)和中频(IF)放大器的设计,能够有效提升信号的传输质量和稳定性。此外,在无线模块、蓝牙设备和Wi-Fi收发器中,NHE520FSR-HF-6 可作为前置放大器或驱动级放大器使用,提供良好的信号增强功能。
在电源管理方面,该晶体管可用于DC-DC转换器、低功耗稳压器和负载开关等电路,其低饱和压降特性有助于提升整体能效。同时,由于其支持表面贴装工艺,非常适合用于高密度的PCB布局,因此在便携式电子设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中也有广泛应用。
在工业自动化和传感器系统中,NHE520FSR-HF-6 可用于信号调理和放大,尤其是在需要高速响应的场合,例如光电传感器、接近开关和编码器接口电路。此外,该晶体管也可作为数字电路中的开关元件,用于控制继电器、LED阵列或其他低功率负载。由于其宽工作温度范围,NHE520FSR-HF-6 在汽车电子系统中也表现出色,例如用于车身控制模块、车载娱乐系统和传感器接口电路。
BCX56-10, PN2222A, 2N3904