时间：2025/8/20 21:24:06
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FMOSD15P06是一款P沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。这款MOSFET设计用于高效率和低导通电阻，适用于需要高电流和高电压能力的电子设备。
类型：P沟道MOSFET
最大漏极电流：15A
最大漏源电压：60V
导通电阻（Rds(on)）：0.038Ω
栅极电压范围：±20V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-252
FMOSD15P06具有低导通电阻，使其在高电流应用中表现出色，减少了功率损耗和发热。
其P沟道结构使其在高侧开关应用中非常有效，适用于各种电源管理和开关电路。
该器件的封装形式为TO-252，便于安装和散热，适用于需要高可靠性的应用。
此外，FMOSD15P06具有较高的热稳定性，能够在高温环境下保持良好的性能。
它的栅极电压范围为±20V，提供了较好的栅极控制能力和稳定性。
FMOSD15P06通常用于电源管理系统，如DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统。
它也适用于需要高电流和高电压能力的工业设备和消费电子产品。
由于其高可靠性和稳定性，FMOSD15P06也常用于汽车电子系统和电动工具中。
在电源管理应用中，它可以作为高侧开关使用，提供高效的电源控制。
此外，该器件还可用于电机驱动、LED照明和工业自动化设备。
Si2302DS, IRF9Z24N, FDP6030L
