NHE520-N是一款高性能的N沟道增强型MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率转换的场景中。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够在高频应用中保持高效的性能。
其封装形式通常为TO-220或DPAK,便于散热设计,同时能够承受较高的电流和电压,适合工业级和消费级电子产品的使用。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:14A
导通电阻:30mΩ
栅极电荷:45nC
开关时间:ton=12ns, toff=28ns
工作温度范围:-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低功率损耗,提高系统效率。
2. 快速的开关特性,适用于高频电路设计。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 具备出色的热稳定性,在高温环境下仍能保持良好的性能。
5. 小型化封装选择,有助于优化PCB布局并节省空间。
6. 符合RoHS标准,绿色环保,支持无铅焊接工艺。
1. 开关电源中的同步整流和功率因数校正(PFC)。
2. 电机驱动电路中的H桥和半桥拓扑。
3. 负载开关和保护电路。
4. DC/DC转换器中的主开关管。
5. 各种电池管理系统中的充放电控制电路。
6. LED驱动器和逆变器等功率转换装置。
NHE520L-N, IRF540N, FDP5800