时间：2025/6/3 23:19:04
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NHE520-N是一款高性能的N沟道增强型MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率转换的场景中。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够在高频应用中保持高效的性能。
其封装形式通常为TO-220或DPAK，便于散热设计，同时能够承受较高的电流和电压，适合工业级和消费级电子产品的使用。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：14A
导通电阻：30mΩ
栅极电荷：45nC
开关时间：ton=12ns, toff=28ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低功率损耗，提高系统效率。
2. 快速的开关特性，适用于高频电路设计。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 具备出色的热稳定性，在高温环境下仍能保持良好的性能。
5. 小型化封装选择，有助于优化PCB布局并节省空间。
6. 符合RoHS标准，绿色环保，支持无铅焊接工艺。
1. 开关电源中的同步整流和功率因数校正（PFC）。
2. 电机驱动电路中的H桥和半桥拓扑。
3. 负载开关和保护电路。
4. DC/DC转换器中的主开关管。
5. 各种电池管理系统中的充放电控制电路。
6. LED驱动器和逆变器等功率转换装置。
NHE520L-N, IRF540N, FDP5800
