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NHDTC124ETR 发布时间 时间:2025/9/13 20:35:31 查看 阅读:5

NHDTC124ETR 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 型晶体管。该晶体管广泛应用于高频放大器、开关电路以及通用电子电路中。NHDTC124ETR 采用 SOT-23 封装,适用于表面贴装技术(SMT),适合用于需要高性能和高可靠性的电子系统。该器件具有良好的电流放大能力和较低的饱和压降,是许多电子设计中的常见选择。

参数

类型:NPN 型晶体管
  最大集电极电流(Ic):100 mA
  最大集电极-发射极电压(Vce):30 V
  最大集电极-基极电压(Vcb):30 V
  最大功耗(Ptot):300 mW
  电流增益(hFE):110 - 800(根据等级不同)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-23
  过渡频率(fT):100 MHz
  饱和压降(Vce sat):最大 0.2 V(典型值)

特性

NHDTC124ETR 晶体管具备多项优异的电气性能和物理特性,使其在多种应用场景中表现出色。首先,其 NPN 结构提供了良好的电流放大能力,hFE(电流增益)范围宽广,从 110 到 800 不等,允许设计者根据具体应用选择合适的增益等级。其次,该晶体管的最大集电极电流为 100 mA,最大集电极-发射极电压为 30 V,使其能够适应多种电源和信号放大需求。
  此外,NHDTC124ETR 的饱和压降(Vce sat)非常低,典型值为 0.2 V,这有助于降低功率损耗,提高电路效率。其过渡频率(fT)高达 100 MHz,表明它在高频开关和放大应用中具有良好的响应能力,适用于射频(RF)前端电路和数字开关应用。
  该器件采用 SOT-23 小型封装,适合表面贴装工艺(SMT),便于自动化生产,同时具有良好的热稳定性和机械强度。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,能够适应各种严苛的环境条件,适用于工业控制、消费电子、通信设备和汽车电子等多个领域。
  在可靠性方面,NHDTC124ETR 具备较高的耐用性和稳定性,符合 RoHS 环保标准,不含铅和其他有害物质,适用于环保要求较高的电子产品设计。

应用

NHDTC124ETR 由于其优异的电气性能和紧凑的封装形式,被广泛应用于多个电子领域。在模拟电路中,该晶体管常用于音频放大器、电压调节器和信号处理电路中的前置放大阶段。在数字电路中,它可用作开关元件,控制 LED、继电器、小型电机等负载。此外,该晶体管也常用于射频(RF)电路中的小信号放大和混频电路中。
  由于其 SOT-23 封装体积小巧,NHDTC124ETR 非常适合用于便携式电子产品,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和无线通信模块。在汽车电子系统中,它可以用于车身控制模块、传感器接口电路以及车载娱乐系统的信号处理部分。
  工业自动化系统中,NHDTC124ETR 可用于传感器信号放大、继电器驱动以及 PLC(可编程逻辑控制器)中的输入/输出接口电路。同时,它也适用于电源管理电路、DC-DC 转换器以及电池充电电路中的开关控制部分。

替代型号

BC847 NPN, 2N3904, PN2222A, MMBT3904, KSC1845

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NHDTC124ETR参数

  • 现有数量13,884现货
  • 价格1 : ¥1.75000剪切带(CT)3,000 : ¥0.31264卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)80 V
  • 电阻器 - 基极 (R1)22 kOhms
  • 电阻器 - 发射极 (R2)22 kOhms
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)70 @ 10mA,5V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)100mV @ 500μA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值)100nA
  • 频率 - 跃迁170 MHz
  • 功率 - 最大值250 mW
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装TO-236AB