时间：2025/9/13 20:40:28
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NHDTC114YTR 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频率开关应用。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优良的热性能，适合用于电源转换器、DC-DC 转换器以及负载开关等应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：6A
最大功耗(Pd)：2.5W
导通电阻(Rds(on))：45mΩ @ Vgs=10V
导通电阻(Rds(on))：60mΩ @ Vgs=4.5V
输入电容(Ciss)：470pF @ Vds=15V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：DFN-8（5mm x 6mm）
NHDTC114YTR 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，使其在导通状态下的电阻非常低，从而降低了导通损耗，提高了效率。其最大漏源电压为 30V，最大连续漏极电流可达 6A，使其适用于中等功率的电源转换应用。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 10V 的栅极驱动电压，这使得其可以与多种类型的控制器或驱动器兼容。在 Vgs=10V 时，Rds(on) 低至 45mΩ，而在 Vgs=4.5V 时，Rds(on) 为 60mΩ，这种特性使得 NHDTC114YTR 可以在较低的栅极驱动电压下依然保持较低的导通损耗。
此外，该 MOSFET 的输入电容较低，仅为 470pF（在 Vds=15V 时），有助于减少开关过程中的能量损耗，提高开关速度。封装形式为 DFN-8（5mm x 6mm），具有良好的热管理能力，适合高密度电路设计。
器件的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 +150°C，确保其在各种环境条件下都能稳定运行。NHDTC114YTR 还具备出色的雪崩能量耐受能力，增强了器件在高压瞬态条件下的可靠性。
NHDTC114YTR 广泛应用于多种电源管理领域，包括但不限于同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制电路以及高频率开关电源。其低导通电阻和快速开关特性，使其非常适合用于需要高效能和高可靠性的电源设计中。
例如，在同步整流器中，该器件可以替代传统的肖特基二极管，显著降低导通压降并提高系统效率；在电池管理系统中，NHDTC114YTR 可作为充放电控制开关，实现对电池电流的高效控制。
在电机控制应用中，该 MOSFET 可用于 H 桥电路中的上下桥臂开关，支持电机的正反转和制动控制。此外，其优异的热性能和小型封装使其非常适合用于便携式设备和空间受限的电路板设计。
Si4466BDY, FDS6680, AO4466
