容量：1Gb（128MB）
　　组织结构：32位宽（x32）
　　电压：1.7V - 3.6V（通常为2.5V或3.3V）
　　工作温度：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　封装类型：TSOP（薄型小外形封装）
　　接口：异步接口
　　最大访问时间：5.4ns（tRC）
　　封装尺寸：54-ball TSOP

H5MS1G32BFR-E3M 是一款高性能、低功耗的DRAM芯片，广泛应用于需要高数据吞吐量和低功耗的嵌入式系统和移动设备中。该芯片采用异步接口，支持灵活的读写时序控制，适用于多种系统架构。其32位数据宽度设计允许更高的数据传输速率，从而提升整体系统性能。此外，该芯片具有多种低功耗操作模式，如待机模式、深度掉电模式等，有助于在设备空闲时降低能耗，从而延长电池寿命。
　　该芯片的异步控制逻辑允许与多种主控器（如微处理器或FPGA）无缝连接，提供灵活的时序配置选项。其TSOP封装设计不仅节省空间，还具有良好的热性能和电气性能，适合高密度PCB布局。此外，H5MS1G32BFR-E3M 符合RoHS环保标准，适用于对环保要求较高的工业和消费类电子产品。
　　在数据保持方面，H5MS1G32BFR-E3M 通过内部刷新电路实现自动刷新功能，确保数据在长时间运行中保持稳定。其高可靠性和稳定性使其成为车载系统、工业控制、通信模块等关键应用的理想选择。

H5MS1G32BFR-E3M 主要应用于以下领域：
　　智能手机和平板电脑中的主存储器或缓存存储器
　　嵌入式系统中的高速数据存储单元
　　汽车电子系统，如车载信息娱乐系统（IVI）、ADAS模块
　　网络设备和通信模块中的数据缓冲存储器
　　工业控制设备和智能家电中的系统内存模块

H5MS1G32BFR-E2C, H5MS1G32BFR-E3C, H5MS1G32BFR-E5C