NH82810 时间：2025/12/26 16:18:58 阅读：12

NH82810是一款由纳芯微电子（NOVOSENSE）推出的高性能、高可靠性隔离式霍尔效应电流传感器芯片，广泛应用于工业控制、新能源汽车、光伏逆变器、储能系统以及各类需要精确电流检测的电力电子设备中。该器件基于先进的磁感应技术，通过集成高灵敏度霍尔元件与信号调理电路，能够在不直接接触主电流路径的情况下实现对直流、交流及脉冲电流的非侵入式测量。NH82810采用SOIC-8宽体封装，内置高磁导率聚磁环结构，有效提升了磁场集中度和抗外部干扰能力，确保在复杂电磁环境中依然保持稳定输出。该芯片支持单电源供电，具备出色的线性度、低温漂和高共模瞬态抗扰度（CMTI），可提供精确且稳定的电流反馈信号，适用于要求严苛的实时控制系统。其内部集成了先进的动态失调消除技术，能够自动补偿温度变化和时间老化带来的零点漂移问题，从而显著提升长期运行的测量精度和系统可靠性。此外，NH82810还具有过载能力强、响应速度快、功耗低等优点，典型满量程输出响应时间小于1μs，适合高频开关电源和电机驱动等高速应用场景。

参数

工作电压：5V ±10%
　　供电电流：15mA（典型值）
　　测量范围：±30A / ±50A / ±100A（可选型号）
　　灵敏度：64mV/A（±30A版本）
　　非线性度：<0.5% FS
　　零点输出电压：2.5V ±50mV
　　温漂系数：±0.1% FS/°C
　　响应时间：<1μs
　　带宽：DC to 120kHz
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：>50kV/μs
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　隔离耐压：3600VRMS（1分钟，UL认证）
　　封装形式：SOIC-8 Wide Body

特性

NH82810的核心优势在于其卓越的精度与稳定性。该芯片采用专有的动态偏移校正技术，能够在全温度范围内有效抑制霍尔元件固有的初始偏移及其随时间和温度的变化，确保零电流输出始终接近理想的2.5V参考点，极大降低了系统校准的复杂性。同时，其高线性度（<0.5%FS）保证了在整个测量范围内输出信号与实际电流呈高度一致的线性关系，即使在接近满量程的极端工况下也能维持精准测量。
　　该器件具备优异的抗电磁干扰能力，得益于内部集成的聚磁环设计，不仅增强了磁场耦合效率，还能有效屏蔽外部杂散磁场的影响，提高信噪比。其高达50kV/μs的共模瞬态抗扰度（CMTI）使其在高dv/dt环境下（如IGBT或SiC MOSFET快速开关时）仍能保持信号完整性，避免误触发或数据跳变。
　　NH82810支持多种电流量程配置，用户可根据应用需求选择不同灵敏度版本，灵活适配从中小功率电源到大功率逆变器等多种场景。芯片内部电路经过优化设计，在保证高性能的同时实现了低功耗运行，典型供电电流仅为15mA，有助于降低系统整体能耗。
　　此外，该产品符合多项国际安全标准，具备3600VRMS的隔离耐压能力，满足加强绝缘要求，适用于需要功能隔离或安全隔离的应用场合。其SOIC-8宽体封装便于自动化贴装，并兼容主流PCB布局设计，简化了终端产品的生产流程。

应用

NH82810适用于各类需要高精度、高隔离等级电流检测的电力电子系统。在新能源汽车领域，常用于车载充电机（OBC）、DC-DC变换器、电机控制器中进行电池充放电电流监测和相电流采样；在工业电机驱动中，可用于三相逆变器的相电流闭环控制，配合PWM调制实现高效FOC矢量控制策略。
　　在光伏逆变器和储能变流器（PCS）中，NH82810被广泛用于直流侧输入电流、交流并网电流的实时监控，支持最大功率点跟踪（MPPT）算法和并网保护逻辑的准确执行。其快速响应能力和宽频带特性使其能够捕捉高频谐波成分，为系统提供更全面的电流信息。
　　在工业电源、UPS不间断电源、伺服驱动器等设备中，该芯片可用于过流保护、负载监测和能效管理功能，提升系统的安全性和智能化水平。此外，由于其非接触式测量方式无插入损耗，不会影响主回路性能，因此特别适合对效率敏感的高频开关电源拓扑结构，如LLC、Phase-Shifted Full Bridge等。
　　得益于其高可靠性和宽温工作范围，NH82810也适用于恶劣工业环境下的长期运行，例如高温车间、户外配电柜等场景，是现代智能电力系统中不可或缺的关键传感元件。