时间：2025/5/7 16:58:32
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SS810B是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特点，适用于各种电源管理和电机驱动应用。SS810B的典型工作电压范围为20V至100V，能够提供较高的电流承载能力。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：4A
栅极阈值电压：2.1V
导通电阻：0.35Ω
功耗：79W
工作温度范围：-55℃至+150℃
SS810B具备出色的电气性能，其主要特点包括低导通电阻，有助于降低功率损耗；高击穿电压确保了在高压环境下的稳定运行；同时具备快速的开关特性，可以满足高频电路的需求。此外，该器件还具有较低的输入电容和输出电容，从而减少了开关过程中的能量损耗。
SS810B的封装形式为标准TO-220，这种封装不仅散热性能良好，而且易于安装在各种印刷电路板上。其内部结构经过优化设计，可有效减少寄生电感和电容的影响，进一步提升了整体效率。
该器件的工作温度范围宽广，从-55℃到+150℃，适合应用于极端环境条件下。无论是在高温还是低温环境下，SS810B均能保持良好的电气性能和可靠性。
SS810B广泛应用于各类电力电子领域，如直流-直流转换器、开关电源、电池保护电路以及小型电机驱动等。在这些应用中，SS810B的低导通电阻特性和快速开关速度能够显著提高系统的效率并减小热量产生。
具体来说，在消费电子产品中，SS810B可用于笔记本电脑适配器、手机充电器以及其他便携式设备的电源管理单元。在工业领域，该器件适用于各种自动化控制设备中的信号隔离与功率放大功能。此外，它还可用于汽车电子系统中的负载切换和保护电路。
IRFZ44N
STP16NF06
FDP5501
