时间：2025/5/21 19:16:30
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NGTG40N120FL2WG 是一款由 Nexperia（前身为 NXP 的标准产品事业部）生产的高性能 N 沟道 MOSFET。该器件采用 PDFN5x6-8 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换和电机驱动 的额定电压为 120V，适合用于中低压功率系统中，例如 DC-DC 转换器、电池管理系统以及消费类电子设备中的电源管理部分。
最大漏源电压：120V
连续漏极电流：40A
导通电阻：3.8mΩ
栅极电荷：49nC
输入电容：1760pF
开关速度：快速
封装类型：PDFN5x6-8
NGTG40N120FL2WG 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型工作条件下仅为 3.8mΩ，能够显著降低传导损耗。
2. 快速开关性能，支持高频应用，从而减小了外部无源元件的尺寸。
3. 小型化封装设计，PDFN5x6-8 封装节省了 PCB 布局空间。
4. 符合 AEC-Q101 标准，确保其能够在严苛的工作环境下可靠运行。
5. 提供出色的热性能，能够有效散热以维持稳定的工作状态。
6. 低栅极电荷和输出电容，降低了开关损耗并提高了效率。
NGTG40N120FL2WG 广泛应用于各种电力电子领域：
1. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统。
2. 工业电机驱动与控制电路。
3. 高效 DC-DC 转换器和开关电源。
4. 消费类电子产品中的负载切换和保护。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。
6. LED 照明驱动电路。
7. 电信设备中的电源管理单元。
NTMG40N120L2G, IRFB4110TRPBF, FDP18N12B
