时间：2025/9/8 7:02:38
阅读：14
50LSW12000M36X83是一款高性能的静态随机存取存储器（SRAM），专为需要高速数据访问和高可靠性的应用设计。该SRAM模块采用先进的CMOS技术，具有低功耗和高稳定性的特点，适用于通信设备、工业控制系统和高性能计算系统等场景。
容量：12Mbit
组织结构：36位x 83
工作电压：2.3V至3.6V
访问时间：约5.4ns
封装类型：TSOP
工作温度范围：-40°C至+85°C
接口类型：异步SRAM接口
最大工作频率：166MHz
50LSW12000M36X83 SRAM芯片具备多项显著特性。其高速访问时间（5.4ns）使其能够满足高性能系统的严格要求，同时其异步接口设计提供了灵活的控制时序，适应多种系统架构。CMOS技术的使用不仅确保了低功耗运行，还提高了抗干扰能力，从而增强了整体系统稳定性。此外，该器件支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），适用于各种恶劣环境。TSOP封装形式不仅节省空间，还降低了电磁干扰（EMI），便于在高密度电路设计中使用。50LSW12000M36X83的高可靠性使其成为高端网络设备、路由器、交换机和实时控制系统中的理想选择。
50LSW12000M36X83广泛应用于需要快速数据存储和访问的场景，例如高速缓存、路由器和交换机的数据缓冲、工业自动化控制系统、测试设备以及航空航天和国防系统中的数据处理模块。其高可靠性和宽温度范围也使其适用于汽车电子和恶劣工业环境中的关键存储需求。
50LSW12000M36X83的替代型号包括50LSW12000M36X83A和CY7C12000M36X83B。这些型号在性能和封装上非常接近，适用于相同的应用场景。
