时间：2025/5/19 13:58:15
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NGTG30N60FWG 是一款由 Nexperia 生产的 N 沟道增强型功率场效应晶体管 (MOSFET)。该器件采用了先进的封装技术和工艺，适用于高效率开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用领域。其出色的导通电阻和栅极电荷特性使其成为高性能功率转换的理想选择。
型号：NGTG30N60FWG
类型：N沟道 MOSFET
耐压：600V
连续漏极电流：30A
导通电阻：0.07Ω（典型值，在 VGS=10V 时）
栅极电荷：45nC（典型值）
功耗：30W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：DPAK（TO-263）
NGTG30N60FWG 的主要特性包括：
1. 高耐压能力，额定电压高达 600V，确保在高压环境下的可靠运行。
2. 大电流承载能力，最大连续漏极电流为 30A，适合于高功率应用。
3. 极低的导通电阻（Rds(on)），典型值仅为 0.07Ω，从而降低传导损耗并提高系统效率。
4. 较小的栅极电荷（Qg），有助于实现快速开关，减少开关损耗。
5. 宽广的工作温度范围，支持从 -55°C 到 +175°C 的极端温度条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保设计。
7. 使用 DPAK 封装，提供良好的散热性能和电气连接可靠性。
NGTG30N60FWG 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)，例如适配器和充电器。
2. DC-DC 转换器，用于工业和汽车电子设备。
3. 电机驱动，如家用电器中的无刷直流电机控制。
4. 照明系统，特别是 LED 驱动电路。
5. 电池保护和管理电路。
6. 各种需要高效功率切换的应用场景。
IRFZ44N, FQP50N06L
