时间：2025/3/24 9:00:40
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NGTD21T65F2SWK 是一款高性能的 N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管 (IGBT)，专为高电压、大电流应用而设计。该器件采用先进的场截止 (Field Stop) 技术，具有低导通损耗和开关损耗的特点，适用于工业逆变器、不间断电源 (UPS)、电机驱动和太阳能逆变器等应用场景。
该型号中的“21T”表示其额定电流为 21A，“65”代表其耐压能力为 650V。后缀“F2SWK”则表明其封装形式以及特定的应用优化特性。
额定电压：650V
额定电流：21A
集电极-发射极饱和电压：1.4V（典型值，@IC=21A，VGE=15V）
栅极-发射极开启电压：8V~15V
最大工作结温：-55℃~175℃
开关频率：最高支持至 20kHz
功耗：约 15W（典型值，具体取决于工作条件）
1. 超低导通电阻：通过优化芯片结构和工艺，降低了导通状态下的功率损耗。
2. 快速开关速度：减少开关过程中的能量损耗，提高整体效率。
3. 高可靠性：具备短路保护功能，可承受至少 10μs 的短路时间而不损坏。
4. 热稳定性：能够在极端温度范围内正常工作，适合恶劣环境下的应用。
5. 封装紧凑：采用行业标准封装，便于安装和散热设计。
6. 电磁兼容性好：优化的寄生参数设计，降低开关噪声，提升系统 EMC 性能。
1. 工业变频器：用于控制电机转速和扭矩。
2. 太阳能逆变器：将直流电转换为交流电并馈入电网。
3. 不间断电源 (UPS)：在电力中断时提供备用电源。
4. 电动车驱动系统：用于主驱逆变器或辅助系统的功率管理。
5. 焊接设备：实现高精度的电流控制。
6. 家用电器：如空调、洗衣机等涉及变频技术的产品。
NGTB21N65W3, IRG4PC20UD, FGH21N65SMD
