时间：2025/6/19 14:36:07
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NGTD13T65F2WP 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的功率 MOSFET 芯片，专为高电压和高效率应用场景设计。该芯片采用先进的封装技术，提供卓越的开关性能和热管理能力。其 650V 的额定电压和低导通电阻特性使其在电动汽车、可再生能源逆变器、服务器电源等高要求领域中具有广泛的应用前景。
这款 MOSFET 具有极低的栅极电荷和输出电荷，能够有效减少开关损耗，并支持高频操作。同时，其出色的温度稳定性和可靠性也使得 NGTD13T65F2WP 成为高性能电力电子系统的理想选择。
额定电压：650V
额定电流：13A
Rds(on)（典型值）：80mΩ
栅极电荷(Qg)：40nC
输出电荷(Qoss)：25nC
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-247-3
NGTD13T65F2WP 提供了以下关键特性：
1. 基于 SiC 技术的功率 MOSFET，具有低导通电阻和低开关损耗。
2. 额定电压高达 650V，适用于各种高压应用场景。
3. 极低的栅极电荷和输出电荷，有助于提升系统效率并支持高频操作。
4. 支持宽温度范围运行，能够在极端环境下保持可靠性能。
5. TO-247-3 封装形式，便于安装和散热设计。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代工业需求。
这些特性使得该芯片在高效电力转换应用中表现出色，特别适合需要紧凑设计和高效率的场景。
NGTD13T65F2WP 广泛应用于以下领域：
1. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的车载充电器 (OBC) 和 DC-DC 转换器。
2. 太阳能逆变器和其他可再生能源发电设备。
3. 数据中心和通信基站的高效电源模块。
4. 工业电机驱动和变频器控制。
5. 快速充电适配器和其他消费类电子产品中的高效电源解决方案。
其优异的性能和可靠性使该芯片成为上述领域的首选组件之一。
NTGD13N65SC1,
FGD13T65S2,
CSD19530KTT
