时间：2025/8/25 6:39:37
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HGTP2N120BN是一款由ON Semiconductor生产的高压高功率MOSFET晶体管，适用于各种高电压和高电流的应用场景。该器件采用TO-247封装形式，具有良好的散热性能，能够在高电压条件下提供高效的开关能力。HGTP2N120BN设计用于满足工业电源、电机控制、不间断电源（UPS）以及功率因数校正（PFC）电路等需求。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：1200V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：1.8A
功耗（PD）：50W
工作温度范围：-55°C至150°C
存储温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-247
HGTP2N120BN具有较高的电压耐受能力和较低的导通电阻特性，使其在高电压应用中表现出色。该MOSFET的快速开关特性减少了开关损耗，并提高了整体系统的效率。此外，它具有优异的热稳定性和可靠性，适用于严苛的工作环境。其TO-247封装提供了良好的热管理和机械稳定性，便于安装和散热。器件的高栅极电荷阈值确保了在高噪声环境中仍能保持稳定的开关性能。
此外，HGTP2N120BN还具备较低的漏极-源极导通压降（VDS(on)），从而减少了导通损耗。其设计支持在高温下连续运行，同时具备较高的短路耐受能力。这种MOSFET还具有较低的输入电容和输出电容，使其适用于高频开关应用，从而减少了外部缓冲电路的需求。其优异的动态特性也使其成为功率因数校正（PFC）和DC-DC转换器的理想选择。
HGTP2N120BN广泛应用于高电压和高功率电子系统中，包括工业电源、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及功率因数校正（PFC）电路。此外，该器件也适用于需要高压开关能力的电力电子设备，例如高压直流（HVDC）供电系统和高电压测试设备。由于其优异的高频开关性能和较低的开关损耗，HGTP2N120BN也常用于高性能DC-DC转换器和开关电源（SMPS）设计中。
STP2N120K5, FGL2N120D, FDPF2N120
