时间：2025/4/27 17:44:43
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NGTD13T65F2SWK 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的 MOSFET 芯片，适用于高频和高效率电力电子应用。该器件采用了先进的沟槽式结构设计，具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能。
由于其优异的电气特性，这款芯片非常适合电动汽车 (EV) 充电桩、太阳能逆变器、不间断电源 (UPS) 和其他高功率密度的应用场景。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：13A
导通电阻：16mΩ
栅极电荷：95nC
反向恢复时间：80ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
NGTD13T65F2SWK 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。
2. 快速的开关速度，支持更高的工作频率，从而减小无源元件体积，优化系统尺寸。
3. 高可靠性设计，能够在高温环境下长期稳定运行。
4. 内置反并联二极管，进一步提升动态性能和抗干扰能力。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代绿色能源解决方案。
这款 SiC MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 电动汽车充电设备中的 DC-DC 转换器和逆变电路。
2. 光伏发电系统的 MPPT 控制及逆变输出模块。
3. 工业级 UPS 系统的核心功率变换部分。
4. 高频 AC-DC 或 DC-AC 变换器，例如服务器电源或通信基站电源。
5. 各类高效能电机驱动控制器。
NTGD14T65W2_SFWK, NGSD12T65F2SWE
