时间：2025/5/8 11:06:21
阅读：7
NGTB40N120IHRWG是一款由安森美（ON Semiconductor）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-247封装，具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适用于工业、汽车及消费电子领域的各种功率转换应用。这款MOSFET的最大漏源极电压为1200V，连续漏极电流可达40A，非常适合高压环境下的电力传输与控制。
NGTB40N120IHRWG还采用了先进的IGBT技术，提供更小的开关损耗和更高的效率，同时具备雪崩能量能力以提高系统可靠性。
最大漏源极电压：1200V
连续漏极电流：40A
导通电阻：95mΩ（典型值，在Vgs=15V时）
栅极电荷：138nC（典型值）
总功耗：360W
工作结温范围：-55℃至175℃
NGTB40N120IHRWG具有以下显著特性：
1. 高电压处理能力，适合1200V以上的应用场景；
2. 极低的导通电阻确保高效运行，并减少功率损耗；
3. 快速开关性能使其在高频应用中表现优异；
4. 内置保护功能，包括雪崩能力和抗静电能力，增强了整体稳定性；
5. 符合RoHS标准，环保且满足现代工业要求；
6. 具有出色的热性能，适应极端温度条件。
这款MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 工业设备中的电机驱动和逆变器；
2. 太阳能逆变器和风力发电系统的功率转换模块；
3. 不间断电源（UPS）和开关模式电源（SMPS）；
4. 电动车（EV）和混合动力车（HEV）中的牵引逆变器；
5. 高压直流输电（HVDC）和其他高压电力系统；
6. 各种需要高效率、高可靠性的功率管理场景。
NTGB40N120HFG
IRG4PC40KD
STGW40H65DFD
