时间：2025/7/16 14:37:15
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NGP15N41ACLG 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由 Nexperia 公司生产。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于各种高效能功率转换应用中。
这款 MOSFET 的额定电压为 41V，能够满足大多数低压系统的电力需求。同时，其封装形式为 LFPAK88，这种封装具有极佳的散热性能和较小的寄生电感，适合高密度贴片组装。
最大漏源电压：41V
连续漏电流：15A
导通电阻（典型值）：2.3mΩ
栅极nC
总电容（输入电容）：950pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：LFPAK88
NGP15N41ACLG 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，可显著降低传导损耗，提高整体系统效率。
2. 高速开关能力，能够适应高频 PWM 控制电路的需求。
3. 超薄型封装设计，有利于在紧凑空间内进行布局。
4. 符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车级应用。
5. 宽泛的工作温度范围，确保在极端环境下也能稳定运行。
6. 内置 ESD 保护功能，增强了芯片的抗静电能力。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流电路。
2. 电动车辆和混合动力汽车的动力控制单元。
3. 工业自动化设备中的电机驱动器。
4. LED 照明驱动电路。
5. 各种消费类电子产品的负载开关。
6. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路。
PSMN1R0-40YLC, IXTT40N04L4, FDP16N04Z
