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NGD8201NT4G 发布时间 时间:2025/5/24 11:48:51 查看 阅读:13

NGD8201NT4G 是一款高性能的 DDR4 内存芯片,广泛应用于计算机、服务器和其他需要大容量和高速数据传输的设备中。该芯片支持高频率运行和低功耗模式,确保在各种工作场景下的稳定性和效率。
  这款内存芯片采用先进的制程工艺制造,具备强大的数据处理能力和可靠性,适用于对性能要求较高的应用场景。

参数

类型:DDR4
  容量:4Gb
  电压:1.2V
  频率:2133MHz
  I/O 宽度:x8/x16
  封装:BGA
  工作温度:-40°C 至 +125°C
  引脚数:78

特性

NGD8201NT4G 具备多种优势特性。首先,它支持 DDR4 标准,能够提供比 DDR3 更高的数据传输速率和更低的功耗。其次,其内部架构经过优化,能够在高频率下保持稳定的性能表现。
  此外,这款芯片采用了 On-Die ECC 技术,可有效减少数据错误,提高系统的整体可靠性。
  同时,它支持自动刷新和省电模式,有助于降低系统功耗并延长设备的使用寿命。这些特性使 NGD8201NT4G 成为高端计算设备的理想选择。

应用

NGD8201NT4G 被广泛应用于需要高性能内存的场景中,包括但不限于以下领域:
  1. 台式电脑和笔记本电脑的内存模块。
  2. 数据中心和服务器中的大容量内存条。
  3. 工业控制设备和嵌入式系统中的存储解决方案。
  4. 高性能图形处理单元(GPU)的相关内存需求。
  凭借其卓越的性能和稳定性,这款芯片可以满足不同行业对内存的严格要求。

替代型号

NGD8201NT8G
  NGD8201MT4G
  NT8G-C4D8201NA

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NGD8201NT4G参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)440V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)1.9V @ 4.5V,20A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)20A
  • 功率 - 最大125W
  • 输入类型逻辑
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装DPAK-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NGD8201NT4G-NDNGD8201NT4GOSTR