AO4476A是东芝公司生产的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景,能够提供高效的功率切换性能。其采用TO-252封装形式,具有低导通电阻和高电流承载能力,能够在高频应用中保持高效性能。
AO4476A的工作电压范围较广,适用于多种电力电子设计需求,同时具备良好的热性能,适合紧凑型设计。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:13.8A
脉冲漏极电流:35A
导通电阻:4.5mΩ
栅极电荷:19nC
反向恢复时间:40ns
工作温度范围:-55℃ to 150℃
AO4476A的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可降低功耗并提升效率。
2. 高速开关性能,适合高频应用。
3. 大电流处理能力,满足大功率系统需求。
4. 良好的热稳定性,可在高温环境下可靠运行。
5. 小尺寸封装 (TO-252),便于PCB布局和空间优化。
6. 符合RoHS标准,环保无铅工艺制造。
这些特性使AO4476A成为高效功率转换电路的理想选择,尤其在需要高性能和高可靠性的情况下。
AO4476A广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS) 的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流。
3. 电池保护电路。
4. 电机驱动电路。
5. LED驱动器。
6. 工业控制设备中的功率管理。
7. 消费类电子产品中的电源管理模块。
由于其出色的电气特性和封装优势,AO4476A成为众多电力电子设计工程师的首选方案。
AO4476
IRFZ44N
FDP55N06L