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AO4476A 发布时间 时间:2025/5/24 11:58:46 查看 阅读:5

AO4476A是东芝公司生产的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景,能够提供高效的功率切换性能。其采用TO-252封装形式,具有低导通电阻和高电流承载能力,能够在高频应用中保持高效性能。
  AO4476A的工作电压范围较广,适用于多种电力电子设计需求,同时具备良好的热性能,适合紧凑型设计。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:13.8A
  脉冲漏极电流:35A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:19nC
  反向恢复时间:40ns
  工作温度范围:-55℃ to 150℃

特性

AO4476A的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可降低功耗并提升效率。
  2. 高速开关性能,适合高频应用。
  3. 大电流处理能力,满足大功率系统需求。
  4. 良好的热稳定性,可在高温环境下可靠运行。
  5. 小尺寸封装 (TO-252),便于PCB布局和空间优化。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅工艺制造。
  这些特性使AO4476A成为高效功率转换电路的理想选择,尤其在需要高性能和高可靠性的情况下。

应用

AO4476A广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 的功率开关。
  2. DC-DC转换器中的同步整流。
  3. 电池保护电路。
  4. 电机驱动电路。
  5. LED驱动器。
  6. 工业控制设备中的功率管理。
  7. 消费类电子产品中的电源管理模块。
  由于其出色的电气特性和封装优势,AO4476A成为众多电力电子设计工程师的首选方案。

替代型号

AO4476
  IRFZ44N
  FDP55N06L

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AO4476A参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C15A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.7 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs24nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1380pF @ 15V
  • 功率 - 最大3.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOIC
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1201-6