时间：2025/5/8 18:42:26
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NGB8245NT4G 是一款由安森美（onsemi）推出的高效能 N 沒尔晶体管（NMOS），专为高功率应用设计。该器件采用了先进的制造工艺，确保其在开关电源、电机驱动和负载切换等应用中表现出优异的性能。其封装形式为 TO-263（D2PAK），具有良好的散热性能和电气特性。
型号：NGB8245NT4G
类型：NMOS
封装：TO-263 (D2PAK)
最大漏源电压 Vds：60V
最大栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id：17A
导通电阻 Rds(on)：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
总功耗 Ptot：140W
结温范围 Tj：-55°C 至 +175°C
栅极电荷 Qg：85nC（典型值）
反向恢复时间 trr：19ns（典型值）
NGB8245NT4G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流条件下减少功率损耗。
2. 高速开关性能，适合高频应用环境。
3. 优化的栅极电荷设计，减少了驱动器的能耗。
4. 具备出色的热稳定性，能够承受较高的工作温度。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足全球法规要求。
6. 强大的抗雪崩能力，提升了器件的可靠性和鲁棒性。
7. 封装具备良好的散热能力，便于集成到各种高功率密度的应用中。
NGB8245NT4G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. 电机驱动电路，用于控制直流无刷电机（BLDC）或其他类型的电机。
3. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
4. 电动汽车（EV）及混合动力汽车（HEV）中的电池管理系统（BMS）。
5. LED 照明系统的恒流控制。
6. 太阳能逆变器以及其他可再生能源转换设备。
NGB8245NL4G, NTD8245N, IRF840
