时间：2025/6/14 11:27:33
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NG651110 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率晶体管，适用于高频和高功率密度应用。该器件采用增强型场效应晶体管 (e-mode FET) 架构，具有低导通电阻和快速开关特性，使其成为电源转换、无线充电和电机驱动等领域的理想选择。
NG651110 的设计注重散热性能和电气稳定性，支持更高的工作频率，从而减小了无源元件的尺寸并提高了系统的整体效率。
类型：增强型场效应晶体管
材料：氮化镓 (GaN)
最大漏源电压：650V
最大连续漏极电流：11A
导通电阻：10mΩ
栅极电荷：60nC
输入电容：2400pF
开关频率：最高支持 5MHz
封装形式：TO-247 或 DFN8
NG651110 具有以下关键特性：
1. 高击穿电压（650V），确保在高压环境下的稳定运行。
2. 超低导通电阻（10mΩ），降低导通损耗，提高系统效率。
3. 快速开关能力（支持高达 5MHz），减少磁性元件体积，实现更高功率密度。
4. 减少寄生电感的封装设计，优化动态性能。
5. 提供优异的热性能，适合长时间高负载工作。
6. 内置保护机制，如过流保护和短路保护，提升可靠性。
NG651110 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和 AC-DC 转换器。
2. DC-DC 转换器，尤其是高频 LLC 和 PFC 电路。
3. 电动汽车（EV）车载充电器和逆变器。
4. 工业电机驱动和伺服控制器。
5. 无线充电发射端模块。
6. 高效 LED 驱动器和光伏逆变器。
NG651112, NG65090B
