类型：N 沟道
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）@ 25°C：160A
　　导通电阻 Rds(on)：最大 3.7mΩ @ Vgs = 10V
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装类型：PowerSO-10
　　功率耗散：100W

NESW064AT 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流条件下导通损耗显著降低，从而提高了整体系统效率。该器件采用先进的 Trench 技术，提供更高的功率密度和优异的热性能，使其能够在高温度环境下稳定工作。
　　此外，NESW064AT 支持较高的栅极电压（±20V），具备良好的过压保护能力，确保在各种应用中不会因为栅极电压异常而损坏。其快速开关特性减少了开关损耗，适用于高频开关电源和电机控制应用。
　　该 MOSFET 还具备良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行，延长设备的使用寿命。同时，其紧凑的 PowerSO-10 封装设计节省了 PCB 空间，适用于高密度电路设计。

NESW064AT 广泛应用于多种功率电子系统，包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统、负载开关、电机驱动器和电源管理模块。此外，它还适用于工业自动化、通信设备、电动车充电器以及高性能电源供应器等领域。
　　在 DC-DC 转换器中，NESW064AT 可以作为高边或低边开关使用，提供高效的能量转换；在同步整流器中，它能够替代传统的肖特基二极管，显著提高整流效率；在电机控制应用中，其快速开关特性和低导通电阻有助于实现更精确的速度和扭矩控制。
　　由于其高可靠性和热稳定性，该器件也常用于需要长时间连续运行的工业设备和汽车电子系统中，如车载充电器、逆变器和电源管理系统等。

IPB064N06N3 G：英飞凌生产的一款 N 沟道 MOSFET，具有相似的电气特性和封装，适用于类似的应用。
　　SiS640ADN：Silicon Integrated Systems 推出的双 N 沟道 MOSFET，具有较低的导通电阻和相近的电气参数，可作为替代方案。
　　FDMS7650：Fairchild Semiconductor 生产的双 N 沟道 MOSFET，适用于高功率密度设计，具有良好的热性能和开关特性。