型号：DAN222MGT2L
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　晶体管类型：NPN
　　封装/外壳：SC-70（SOT-323）
　　最大集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大发射极-基极电压（VEBO）：6V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大总功耗（Ptot）：200mW（或根据热环境条件有所变化）
　　直流电流增益（hFE）：最小100至最大400（测试条件：IC = 1mA, VCE = 5V）
　　过渡频率（fT）：典型值200MHz
　　最大饱和电压（VCE(sat)）：0.25V（IC = 10mA, IB = 1mA）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

DAN222MGT2L具备多项优异的电气与物理特性，适用于广泛的模拟与数字电路应用。
　　首先，该晶体管具有高达50V的集电极-发射极击穿电压（VCEO），使其能够在中等电压环境下稳定工作，适用于多种电源轨配置下的开关操作。其直流电流增益（hFE）范围宽广，通常在100至400之间，保证了在不同批次产品中仍能维持良好的放大一致性，有助于简化电路设计中的偏置计算。
　　其次，该器件的高频性能出色，过渡频率（fT）典型值达到200MHz，支持其在射频前端、高速开关及脉冲放大电路中的应用。这对于需要快速响应的数字逻辑接口、LED驱动或时钟信号缓冲尤为关键。
　　此外，DAN222MGT2L的饱和电压较低，在IC=10mA且IB=1mA条件下，VCE(sat)仅为0.25V，意味着在导通状态下功耗极低，有利于提升系统整体能效，特别适合电池供电设备以延长续航时间。
　　该晶体管采用SC-70（SOT-323）超小型封装，尺寸仅约2.1mm x 1.3mm x 1.1mm，极大节省PCB布局空间，满足现代电子产品对微型化的需求。同时，其封装材料具备良好的热传导性能和机械强度，可在严苛环境中保持长期可靠性。
　　最后，器件符合AEC-Q101车规级可靠性标准（如适用版本），并通过了无铅和RoHS认证，支持回流焊工艺，适用于工业、汽车电子及消费类大批量生产场景。

DAN222MGT2L因其高性能与小尺寸特性，被广泛应用于多个电子领域。
　　在消费电子方面，常用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的LCD背光控制、按键开关检测、音频信号切换及传感器信号放大等电路。其低功耗和高增益特性有助于延长电池寿命并提升系统灵敏度。
　　在通信设备中，可用于无线模块的射频开关、信号路由选择器以及低噪声前置放大器，尤其是在蓝牙、Wi-Fi和Zigbee等短距离通信系统中发挥重要作用。
　　工业控制领域中，该晶体管可用于PLC输入输出接口、继电器驱动、光耦隔离电路以及数字逻辑电平转换，实现微控制器与外部负载之间的安全隔离与高效驱动。
　　此外，在电源管理系统中，DAN222MGT2L可用于LDO使能控制、电源多路复用、电池充电状态指示灯驱动等辅助功能电路。
　　由于其具备较高的可靠性和温度适应能力，也可应用于车载信息娱乐系统、仪表盘显示驱动和车身控制模块等汽车电子子系统中，尤其适合非动力系统的低压控制场合。

MMBT2222ALT1G
　　FMMT2222ACT
　　KSC2222AYBU