NEDF425CL 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于需要高效率和低损耗的场景中。该器件采用了先进的制造工艺,具备较低的导通电阻和较高的开关速度,适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动、电源管理以及其他功率转换应用中。
其封装形式为 TO-263(D2PAK),能够有效提高散热性能,同时支持大电流操作。
型号:NEDF425CL
类型:N 沟道增强型 MOSFET
Vds(漏源极电压):100V
Rds(on)(导通电阻,典型值):70mΩ @ Vgs=10V
Id(连续漏极电流):42A
Ptot(总功耗):220W
Vgs(栅源极电压):±20V
f(工作频率范围):最高可达 500kHz
封装:TO-263 (D2PAK)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
NEDF425CL 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著降低功率损耗。
2. 高速开关能力,能够在高频应用中保持高效性能。
3. 较高的漏源极电压(Vds),使其适用于多种高压应用场景。
4. 强大的电流承载能力(Id),确保在大电流条件下稳定运行。
5. 先进的热设计和封装技术,提高了散热性能和可靠性。
6. 支持宽范围的工作温度,适应恶劣环境下的使用需求。
7. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
NEDF425CL 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 各类工业设备中的负载切换。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率转换模块。
5. 汽车电子系统中的电源管理和电池保护。
6. 通信设备中的电源模块和信号调节。
由于其出色的电气性能和可靠性,NEDF425CL 成为众多工程师在设计功率系统时的理想选择。
NEDF425AL, IRFZ44N, STP40NF10L