时间：2025/7/24 13:09:34
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NE8MC-1 是一款由 NEC（现为 Renesas Electronics）生产的高频、低噪声场效应晶体管（FET），主要用于射频（RF）和微波放大器应用。该器件采用 GaAs（砷化镓）材料制造，具备优良的高频性能和低噪声特性，适用于通信设备、测试仪器以及军事和航空航天系统中的前端低噪声放大器。
类型：场效应晶体管（FET）
材料：GaAs
封装类型：陶瓷金属封装（Metal-Ceramic）
引脚数：4
最大漏极电压（Vds）：10V
最大栅极电压（Vgs）：-3V 至 +1V
最大漏极电流（Ids）：50mA
噪声系数（NF）：0.5dB（典型值）
频率范围：1GHz 至 18GHz
增益（S21）：16dB（典型值，12GHz 下）
输入输出阻抗：50Ω（典型）
NE8MC-1 具备卓越的高频低噪声性能，适用于要求严苛的射频前端放大器应用。其 GaAs 材料结构确保了器件在微波频段下依然保持稳定的工作特性。
该器件采用陶瓷金属封装设计，具备良好的热稳定性和机械强度，适合在高温和高振动环境下工作。
在噪声系数方面，NE8MC-1 的典型值为 0.5dB，在 1GHz 至 18GHz 的频率范围内均表现出优异的低噪声特性，非常适合用于接收器的低噪声放大级。
此外，NE8MC-1 在 12GHz 下的增益典型值为 16dB，能够有效放大微弱信号，同时保持较低的功耗和良好的线性度。
其 50Ω 的输入输出阻抗匹配设计，便于集成到常见的射频系统中，减少了外部匹配电路的复杂度。
器件的工作电压范围较宽，支持漏极电压最高 10V，栅极电压范围为 -3V 至 +1V，具备较好的偏置灵活性，便于根据具体应用调整工作点。
NE8MC-1 主要用于需要低噪声、高增益和高频性能的射频和微波电路中。典型应用包括卫星通信系统中的低噪声放大器（LNA）、雷达接收前端、测试与测量设备中的信号放大模块，以及航空航天和军事电子系统中的高频信号处理电路。此外，由于其良好的宽带特性，NE8MC-1 也常用于宽带通信设备中的中继放大器或前置放大器模块。
NE3210S01、NE3509M03、ATF-54143、NE85633
