时间：2025/12/27 13:02:06
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B82799C104N1 是由 EPCOS（现为 TDK Electronics）生产的一款多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于高性能表面贴装电容器系列，广泛应用于各类电子电路中，用于滤波、去耦、旁路和储能等功能。其紧凑的封装尺寸与高电容值相结合，使其成为现代高密度印刷电路板设计中的理想选择。B82799C104N1 具备优良的温度稳定性、低等效串联电阻（ESR）以及良好的高频响应特性，适用于要求严苛的工业、汽车及通信设备环境。该电容器采用标准的EIA 0805（2012公制）封装尺寸，额定电容为100nF（即0.1μF），电容容差为±10%，介质材料为X7R，能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持稳定的电气性能。此外，该元件符合RoHS环保标准，并具备良好的抗湿性和焊接可靠性，适合回流焊工艺。由于其优异的电气特性和环境适应性，B82799C104N1常被用于电源管理模块、DC-DC转换器输入输出滤波、模拟信号调理电路以及数字系统的去耦网络中。
型号：B82799C104N1
制造商：TDK Electronics (原EPCOS)
类型：多层陶瓷电容器 (MLCC)
封装/外壳：0805 (2012)
电容值：100nF (0.1μF)
容差：±10%
介质材料：X7R
额定电压：50V DC
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
温度系数：X7R
直流偏压特性：在额定电压下电容变化较小
等效串联电阻 (ESR)：低
等效串联电感 (ESL)：低
安装类型：表面贴装 (SMD)
端接类型：镍/锡 (Ni/Sn) 覆盖
符合标准：RoHS 合规
包装形式：卷带包装 (Tape and Reel)
B82799C104N1 采用 X7R 类型的陶瓷介质材料，这种材料以其出色的温度稳定性著称，在 -55°C 到 +125°C 的整个工作温度范围内，电容值的变化不超过 ±15%。这使得该电容器非常适合需要在极端环境条件下维持稳定性能的应用场景，例如汽车电子系统或工业控制设备。X7R 材料还具有较低的老化率，通常每年小于2.5%，从而确保了长期运行中的可靠性。
该电容器的标称电容为 100nF，容差控制在 ±10% 范围内，提供了较高的精度水平，满足大多数模拟和数字电路对去耦和滤波的需求。同时，尽管 MLCC 器件会随着施加的直流偏置电压而出现电容下降现象，但 B82799C104N1 在设计时优化了介电层结构，使其在 50V 额定电压下的实际可用电容仍能保持较高比例，提升了在高压应用中的有效性。
其 0805 小型化封装（2.0mm x 1.25mm）不仅节省 PCB 空间，而且具备良好的机械强度和热循环耐受能力。该器件使用镍/锡端电极，兼容标准回流焊工艺，包括无铅焊接流程，有助于提高自动化生产的良率和一致性。
由于具备低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），B82799C104N1 在高频去耦应用中表现优异，能够有效抑制电源噪声并稳定供电电压。它广泛用于开关电源输出滤波、微处理器供电引脚旁路、传感器信号链滤波等场合。
此外，该产品通过 AEC-Q200 认证的可能性较高（需查证具体批次），适用于汽车级应用，如车载信息娱乐系统、车身控制模块和 ADAS 传感器电源管理。整体而言，B82799C104N1 是一款兼顾性能、可靠性和成本效益的通用型 MLCC 器件。
B82799C104N1 主要应用于需要高稳定性和小型化设计的电子系统中。常见用途包括但不限于：电源管理单元中的输入/输出滤波电容，用于平滑电压波动并减少纹波；在 DC-DC 转换器和 LDO 稳压器附近作为去耦电容，提供瞬态电流支持并降低高频噪声；在微控制器、FPGA 和 DSP 等数字 IC 的电源引脚处实现局部储能与噪声旁路，提升系统稳定性；在模拟前端电路中用于信号耦合、滤波和参考电压缓冲，确保信号完整性；在工业自动化设备、医疗仪器、消费类电子产品以及汽车电子模块中均有广泛应用。此外，由于其良好的温度特性和可靠性，也适用于环境条件较恶劣的户外或车载应用场景。
GRM21BR71H104KA01L
CL21A104KAQNNNC
C2012X7R1H104K
