类型：NPN 双极型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：200mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-23（SC-59）
　　晶体管配置：单晶体管
　　增益带宽积（fT）：100MHz

NE434S01-T1 具有良好的高频响应特性，适用于需要高频操作的放大电路。该器件的 SOT-23 封装使其适用于表面贴装技术（SMT），从而提高了 PCB 板的组装效率和可靠性。
　　其增益带宽积（fT）高达 100MHz，表明其在较高频率下仍能保持良好的电流放大能力，适合用于射频（RF）和中间频率（IF）放大器。此外，NE434S01-T1 的最大集电极电流为 200mA，支持中等功率的应用需求，如开关电路、音频放大器驱动等。
　　该晶体管的热稳定性较好，能够在较宽的温度范围内稳定工作，确保在不同环境条件下的可靠运行。功耗为 300mW，适合低功耗设计，有助于提高设备的能效和延长电池寿命。
　　作为一款通用型 NPN 晶体管，NE434S01-T1 在多个行业中都有广泛的应用，包括消费电子、汽车电子、工业控制以及通信设备等。其标准化的封装和电气特性使其在设计和替换过程中具有较高的灵活性和兼容性。

NE434S01-T1 主要用于需要高频操作的放大电路中，例如射频（RF）放大器、中间频率（IF）放大器和音频前置放大器。此外，它还可用于开关电路、驱动继电器、LED 显示器以及数字逻辑电路中的信号放大与控制。
　　在消费电子产品中，NE434S01-T1 常用于音频设备、遥控器和无线通信模块中，作为信号放大或开关控制元件。在工业控制领域，该晶体管可用于传感器信号放大、继电器驱动和电源管理电路。
　　在汽车电子系统中，NE434S01-T1 可用于车载通信设备、传感器接口电路以及车身控制模块中的信号处理和驱动部分。此外，该晶体管也适用于电源转换电路，如 DC-DC 转换器中的开关控制。
　　由于其良好的高频特性和封装优势，NE434S01-T1 也广泛应用于便携式设备中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的无线通信模块和传感器接口电路。

BC847系列, 2N3904, PN2222A